[发明专利]钽酸锂晶体基片的黑化处理方法

权利要求书

1.一种钽酸锂晶体基片的黑化处理方法，其特征在于：采用具有强脱氧能力的氟化物材料在非氧化气氛下和低于所述的待处理的钽酸锂晶体基片的居里温度条件下对待处理钽酸锂晶体基片进行还原黑化处理。

2.根据权利要求1所述的钽酸锂晶体基片的黑化处理方法，其特征在于：该方法包括下列步骤：

1)将待黑化处理的钽酸锂晶体基片置入坩埚容器中；

2)向坩埚容器加入氟化物材料，使所述的钽酸锂晶体基片与所述的氟化物充分接触；

3)将装有所述的钽酸锂晶体基片和氟化物材料的坩埚容器放入热处理炉中；

4)所述的热处理炉抽真空至100Pa以下，打开流动气体阀门，以0.5～2.5升/分钟的速率充入流动的非氧化气体，并保持所述的热处理炉的压强为+0.005MPa～0.015MPa；

5)所述的热处理炉升温至450～595℃之间，恒温5～24小时；

6)降至室温，关闭所述的流动气体阀门，打开热处理炉，取出所述的钽酸锂晶体基片，黑化处理完成。

3.根据权利要求2所述的钽酸锂晶体基片的黑化处理方法，其特征在于：所述的氟化物材料为LiF、CaF₂、或MgF₂的粉末、多晶陶瓷或单晶体。

4.根据权利要求2所述的钽酸锂晶体基片的黑化处理方法，其特征在于：所述的坩埚容器是由石墨、氧化铝、石英、不锈钢、钨或钼制成的坩埚容器。

5.根据权利要求2所述的钽酸锂晶体基片的黑化处理方法，其特征在于：所述的非氧化气体是N₂、Ar、CO或H₂气。

6.根据权利要求1至5任一项所述的钽酸锂晶体基片的黑化处理方法，其特征在于：所述的钽酸锂晶体基片包括线切割后的钽酸锂晶体片、切割研磨后的钽酸锂晶体粗片，或经过切割、研磨、抛光后的钽酸锂晶体衬底片。