[发明专利]低辐射镀膜玻璃

权利要求书

1.低辐射镀膜玻璃，其特征在于，包括基片、至少一层远红外辐射反射膜 层以及外覆盖膜层，所述基片上镀设有第一电介质层，所述远红外辐射反射膜 层镀设在所述第一电解质层上；所述远红外辐射反射膜层包括远红外辐射反射 层以及两层阻挡层，两层所述阻挡层分别对应镀设在所述远红外辐射反射层的 上表面及下表面；所述外覆盖层包括两层ZrO_x层，两层所述ZrO_x层之间镀设 有至少一层第二电介质层；所述外覆盖膜层镀设在所述远红外辐射反射膜层上， 且两者之间设有第三电介质层。

2.如权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述外覆盖膜层与 所述第一电介质层之间设有多个依序镀设的远红外辐射反射膜层，且相邻的所 述远红外辐射发射膜层之间镀设有第四电介质层。

3.如权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述ZrO_x层中含 有Ai。

4.如权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述ZrO_x层的厚 度范围为2nm-12nm。

5.如权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述ZrO_x层的厚 度范围为3nm-8nm。

6.如权利要求1至5任一项所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述远 红外辐射反射层与其下表面的阻挡层之间镀设有ZnO层。

7.如权利要求1至5任一项所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第 一电介质层中含有SiNx。

8.如权利要求1至5任一项所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述阻 挡层中含有Ni或Cr或NiCr或NiCrO_x或NiMO或ZnO。

9.如权利要求1至5任一项所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第 三电介质层的厚度比第二电介质层的厚度厚至少20nm。

10.如权利要求1至5任一项所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述 第二电介质层中含有的Si含量是第三电介质层中含有的Si含量的两倍到三倍 之间。