[发明专利]半导体加工设备

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体地，涉及一种半导体加工设备。

背景技术

浅沟槽隔离刻蚀是集成电路制造中最重要的工艺之一，它直接影响着器件的电性能和稳定性。对于浅沟槽隔离刻蚀工艺，刻蚀缺陷的控制是提高产品良率最为关键的因素，在实际生产中，刻蚀缺陷的产生主要是因为在刻蚀前和刻蚀后会有大尺寸的颗粒物掉落在晶片表面，导致刻蚀图形被破坏，从而直接影响到产品良率。

图1为现有的半导体加工设备的剖视图。请参阅图1，半导体加工设备包括反应腔室1，在该反应腔室1内设置有静电卡盘2，用于承载晶片3，并且静电卡盘2与偏压电源7电连接。在反应腔室1的顶部介质窗的上方设置有线圈5，其与激励电源6电连接。而且，在反应腔室1的顶部介质窗还设置有中央喷嘴4，用以向反应腔室1内输送工艺气体。在进行工艺时，激励电源6向线圈5加载射频功率，以激发反应腔室1内的工艺气体形成等离子体，并且偏压电源7向晶片3施加偏压，以吸引等离子体朝向晶片表面运动，并刻蚀晶片表面。

在实际应用中，在进行刻蚀工艺的前后往往会有尺寸较大的颗粒掉落，这些颗粒附着在晶片表面造成刻蚀缺陷，从而严重影响产品良率。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体加工设备，其可以在工艺前后清除掉落在晶片上表面的颗粒，从而可以避免部分刻蚀缺陷，进而可以提高产品良率。

为实现本发明的目的而提供一种半导体加工设备，包括反应腔室和工艺气路，其中，在所述反应腔室内设置有用于固定晶片的承载装置；所述工艺气路用于向所述反应腔室内输送工艺气体，还包括吹扫装置，所述吹扫装置包括进气管路和气源，其中，所述气源用于向所述进气管路提供所述吹扫气体；所述进气管路设置在所述反应腔室的腔室壁内，且所述进气管路的进气端与所述气源连接，所述进气管路的出气端设置在所述反应腔室的腔室侧壁上，用以朝向所述晶片上表面、且沿平行于所述晶片上表面的方向输送吹扫气体。

优选的，所述进气管路的出气端的数量为多个，且分为一组或多组出气组，所述多组出气组沿垂直于所述晶片上表面的方向间隔分布；所述出气组中的多个出气端沿所述反应腔室的腔室侧壁间隔分布，且相对于所述晶片上表面的高度相同。

优选的，所述出气端与置于所述承载装置上的晶片边缘之间的水平间距的取值范围在0.5～5cm。

优选的，所述水平间距为1cm。

优选的，所述进气管路包括第一支路和第二支路，所述第一支路和第二支路相互并联，并串联在所述进气端和所述出气端之间，其中，在所述第一支路上设置有第一通断阀和第一流量控制阀，所述第一通断阀用于接通或断开所述第一支路；所述第一流量控制阀用于调节所述第一支路的气流量；在所述第二支路上设置有第二通断阀和第二流量控制阀，所述第二通断阀用于接通或断开所述第二支路；所述第二流量控制阀用于调节所述第二支路的气流量。

优选的，在所述承载装置将所述晶片固定之后，且在进行工艺之前，所述第一通断阀接通所述第一支路，所述第二通断阀断开所述第二支路，同时所述第一流量控制阀将第一支路的气流量调节至第一预设值；在完成所述工艺，且所述承载装置解除对所述晶片的固定之后，所述第一通断阀断开所述第一支路，所述第二通断阀接通所述第二支路，同时所述第二流量控制阀将第二支路的气流量调节至第二预设值。

优选的，所述第一预设值的取值范围在500～1000sccm。

优选的，所述第一预设值为800sccm。

优选的，所述第二预设值的取值范围在200～500sccm。

优选的，所述吹扫气体包括氮气或者惰性气体。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的半导体加工设备，其设置有吹扫装置，该吹扫装置包括进气管路和气源，通过将进气管路设置在反应腔室的腔室壁内，且该进气管路的进气端与气源连接，进气管路的出气端设置在反应腔室的腔室侧壁上，用以朝向晶片上表面、且沿平行于该晶片上表面的方向输送吹扫气体，可以在工艺前后清除掉落在晶片上表面的颗粒，从而可以避免部分刻蚀缺陷，进而可以提高产品良率。

附图说明

图1为现有的半导体加工设备的剖视图；

图2为本发明实施例提供的半导体加工设备的剖视图；

图3为本实施例采用的进气管路的出气端的正面视图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的半导体加工设备进行详细描述。