[发明专利]一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器及制备方法

权利要求书

1.一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器，其特征在于：所述探测器以稀铋多量子阱作为吸收层，其中势阱层为p型稀铋III-V族材料，势垒层为不掺杂的不含铋III-V族材料，势阱层p型掺杂浓度介于3×10¹⁷cm^-3至5×10¹⁸cm^-3之间。

2.根据权利要求1所述的一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器，其特征在于：所述势阱层中空穴从重空穴价带到自旋轨道分裂带的跃迁能量E₂与电子从价带到导带的跃迁能量E₁相同。

3.根据权利要求1所述的一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器，其特征在于：所述稀铋多量子阱吸收层下方为p型高掺杂不含铋III-V族缓冲层，同时作为下接触层；吸收层上方为p型高掺杂不含铋III-V族材料上接触层。

4.根据权利要求3所述的一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器，其特征在于：所述上接触层和下接触层p型掺杂浓度大于3×10¹⁸cm^-3。

5.一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器，包括如下步骤：

(1)在半绝缘或p型衬底上先生长一层p型高掺杂不含铋III-V族缓冲层，高掺杂不含铋III-V族缓冲层的p型掺杂浓度大于3×10¹⁸cm^-3，同时作为下接触层；

(2)在下接触层上方生长稀铋多量子阱吸收层，其中势阱层为p型稀铋III-V族材料，空穴从重空穴价带到自旋轨道分裂带的跃迁能量E₂与电子从价带到导带的跃迁能量E₁相同，稀铋多量子阱吸收层的p型掺杂浓度介于3×10¹⁷cm^-3至5×10¹⁸cm^-3之间；势垒层为不掺杂的不含铋III-V族材料；量子阱数目为N，3≤N≤50，即依次生长N+1层势垒层和N层势阱层；

(3)在吸收层上方生长一层p型高掺杂不含铋III-V族上接触层，高掺杂不含铋III-V族上接触层的p型掺杂浓度大于3×10¹⁸cm^-3；

(4)生长完成的样品采用腐蚀台面、在上下接触层淀积金属电极、封装制得探测器。