[发明专利]一种用于MRAM的磁性存储器件

权利要求书

1.一种用于MRAM的磁性存储器件，其特征在于包括：铁磁性的自由层、隔离层、含有亚铁磁性的固定层，隔离层由非磁性物质构成并位于铁磁性的自由层和含有亚铁磁性的固定层之间，使含有亚铁磁性的固定层的磁性补偿温度与MRAM的工作温度匹配，所述磁性补偿温度下含有亚铁磁性的固定层的磁矩接近为零；所述含有亚铁磁性的固定层包含有SAF结构；所述含有亚铁磁性的固定层和铁磁性的自由层的磁化方向在膜层面内或垂直于膜层。

2.根据权利要求1所述的一种用于MRAM的磁性存储器件，其特征在于，所述含有亚铁磁性的固定层位于隔离层下方，铁磁性的自由层位于隔离层上方。

3.根据权利要求1所述的一种用于MRAM的磁性存储器件，其特征在于，所述含有亚铁磁性的固定层位于隔离层上方，铁磁性的自由层位于隔离层下方。

4.根据权利要求1所述的一种用于MRAM的磁性存储器件，其特征在于，所述亚铁磁性的固定层材料包括钴钆合金、铁钆合金、钴铁钆合金、钴铽合金、铁铽合金、钴铁铽合金，或钴-钆多层膜、铁-钆多层膜、钴铁-钆多层膜、钴-铽多层膜、铁-铽多层膜、钴铁-铽多层膜中的一种或几种组合。

5.根据权利要求1所述的一种用于MRAM的磁性存储器件，其特征在于，所述铁磁性的自由层的材料为：含有铁、钴、铁钴合金，以及上述元素或合金与硼、锆、铪、钽、钛、钒、铬、钨、钼、铌组成的合金，以及上述元素或合金与硼、锆、铪、钽、钛、钒、铬、钨、钼、铌组成的多层膜。

6.根据权利要求1所述的一种用于MRAM的磁性存储器件，其特征在于，所述隔离层的材料为：氧化镁、氧化铝、氧化铝镁、氧化钽、氧化钛、氧化钆、氧化铪、氧化锆、氧化镓、氧化钪、氧化钒、氧化锌、氧化镁锌、氧化铁、氧化钴、氧化镍、氮化硼、氮化铝、铜、银、金、以及包含铜、银或金的合金材料中的一种或几种组合。

7.根据权利要求1所述的一种用于MRAM的磁性存储器件，其特征在于，所述含有亚铁磁性的固定层和隔离层之间含有一层铁磁性的界面层；铁磁性的界面层的材料为：含有铁、钴、铁钴合金，以及上述元素或合金与硼、锆、铪、钽、钛、钒、铬、钨、钼、铌组成的合金，以及上述元素或合金与硼、锆、铪、钽、钛、钒、铬、钨、钼、铌组成的多层膜。

8.根据权利要求7所述的一种用于MRAM的磁性存储器件，其特征在于，所述界面层的磁化方向在膜层面内或垂直于膜层。