[发明专利]一种集成压电式万向冲击传感器及其压电敏感元件的制造方法

权利要求书

1.一种集成压电式万向冲击传感器，包括质量块（1）和压电敏感元件（2），其特征在于：所述压电敏感元件（2）上设置有Z轴轴向压力敏感输出电极对（21/22）、Y轴轴向压力敏感输出电极对（23/24）、X轴轴向压力敏感输出电极对（25/26）和质量块焊接电极（27）；所述质量块（1）通过质量块焊接电极（27）焊接在压电敏感元件（2）顶部；

以压电敏感元件（2）轴向垂直方向定义为Z轴，与Z轴垂直的水平方向定义为X轴，与X轴及Z轴组成的平面垂直的方向定义为Y轴；

所述Z轴轴向压力敏感输出电极对（21/22）包括Z轴轴向压力敏感输出正电极（21）和Z轴轴向压力敏感输出负电极（22）；所述Z轴轴向压力敏感输出电极对（21/22）是通过压电敏感电极组Ⅰ（21a、21b…21n/22a、22b…22n）以叠层平面结构交叉分布在Z轴轴向分别连接正、负电极而组成的Z轴轴向压力敏感输出电极对（21/22）；

所述X轴轴向压力敏感输出电极对（25/26）包括X轴轴向压力敏感输出正电极（25）和X轴轴向压力敏感输出负电极（26）；所述X轴轴向压力敏感输出电极对（25/26）是通过电极组Ⅱ（25a、25b…25n/26a、26b…26n）以金属通孔阵列结构交叉分布且沿X轴轴向连接形成的X轴轴向压力敏感输出电极对（25/26）。

2.如权利要求1所述的一种集成压电式万向冲击传感器，其特征在于：所述Y轴轴向压力敏感输出电极对（23/24）包括Y轴轴向压力敏感输出正电极（23）和Y轴轴向压力敏感输出负电极（24）；所述Y轴轴向压力敏感输出电极对（23/24）是通过电极组Ⅲ（23a、23b…23n/24a、24b…24n）以金属通孔阵列结构交叉分布且沿Y轴轴向连接形成的Y轴轴向压力敏感输出电极对（23/24）。

3.如权利要求1或2所述的一种集成压电式万向冲击传感器，其特征在于：所述Z轴轴向压力敏感输出电极对（21/22）分布在压电敏感元件（2）的左右两端。

4.如权利要求1或2所述的一种集成压电式万向冲击传感器，其特征在于：所述X轴轴向压力敏感输出电极对（25/26）分布在压电敏感元件（2）前后两侧的右端。

5.如权利要求1或2所述的一种集成压电式万向冲击传感器，其特征在于：所述Y轴轴向压力敏感输出电极对（23/24）分布在压电敏感元件（2）前后两侧的左端。

6.如权利要求1所述的一种集成压电式万向冲击传感器，其特征在于：所述质量块焊接电极（27）分布在压电敏感元件（2）顶部四角。

7.如权利要求1或6所述的一种集成压电式万向冲击传感器，其特征在于：所述质量块（1）是由钨基高比重合金组成的密度为16.8-18.8的质量块（1），所述质量块（1）表面设置有镀镍层。

8.如权利要求7所述的一种集成压电式万向冲击传感器，其特征在于：所述质量块（1）通过回流焊工艺焊接贴装在压电敏感元件（2）的表面。