[发明专利]光器件晶片的加工方法在审
申请号: | 201510868645.1 | 申请日: | 2015-12-02 |
公开(公告)号: | CN105679708A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 大岛龙司 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;金玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 晶片 加工 方法 | ||
技术领域
本发明涉及覆盖有树脂的光器件晶片的加工方法。
背景技术
在生产白色LED等的情况下,在光器件晶片上的发光层的正面上,进行包含提 升光特性的荧光材料粒子等的透光性成型树脂的成型。此后,为了消除LED等的发 出色的差异,需要进行透光性成型树脂层的旋削,使得树脂层正面的变得平坦。作为 该旋削工序,使具有金刚石的切削部的刀具旋转并作用于光器件晶片上,并且对发光 层正面上的透光性成型树脂全面地进行旋削,从而使其变得平坦,以将透光性成型树 脂精加工为期望的厚度。而且,用于该旋削中的刀具的切削部通常使用单晶的金刚石 (例如,参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2012-114366号公报
对于透光性成型树脂的层,需要进行用于使其变得平坦的旋削工序,因而在成型 的阶段,将其形成为具备某种程度的厚度(作为一例为1mm左右)。而且,为了使光 器件晶片上的电极等露出,需要将该较厚的透光性成型树脂层旋削至规定的厚度(作 为一例约为100μm左右)。然而,这种旋削需要较长时间,此外,用于旋削的切削部 也会随着旋削时间变长而发生消耗,因此会产生频繁更换切削部的需要。因此,在仅 使用单晶金刚石的切削部进行的旋削中,成本变高成为问题。
发明内容
于是,本发明的目的在于,在对光器件晶片的透光性成型树脂进行旋削的情况下, 保证旋削后的成型树脂层正面的平坦度等的加工品质,并且可抑制旋削部的消耗量并 实现加工的高速化。
用于达成上述目的的本发明提供一种光器件晶片的加工方法,该光器件晶片在发 光层上形成有多个光器件,并且在该发光层的正面上覆盖有提升光特性的透光性成型 树脂,其特征在于,包括:第1旋削工序,使具有切削部的刀具旋转并作用于光器件 晶片的该透光性成型树脂上,对该透光性成型树脂进行旋削,对该透光性成型树脂进 行粗旋削,其中,该切削部是由包含金刚石的烧结体形成的;以及第2旋削工序,在 该第1旋削工序之后,使具有金刚石单晶的切削部的刀具旋转并作用于光器件晶片的 该透光性成型树脂上,对该透光性成型树脂进行旋削,将该透光性成型树脂精加工为 期望的厚度。
在所述金刚石中优选添加有硼。
发明的效果
在本发明中,首先利用由包含金刚石的烧结体形成的切削部对光器件晶片的透光 性成型树脂层进行粗旋削(第1旋削工序),接着,通过由金刚石单晶构成的切削部 进行用于提高平坦度等的精密旋削(第2旋削工序),从而能够使透光性成型树脂层 的正面高精度地变得平坦,并且可抑制具有单晶金刚石的切削部的刀具的消耗量并实 现成本削减。
此外,通过在金刚石中添加硼,从而可对切削部赋予优良的固体润滑性和散热性。 由此,在第1旋削工序和/或第2旋削工序中能够更为平滑地旋削透光性成型树脂层, 可提升旋削速度。此外,还能够抑制第1旋削工序和/或第2旋削工序中使用的刀具 的消耗。
附图说明
图1是光器件晶片的正面侧的立体图。
图2是旋削加工前的光器件晶片的局部放大剖视图。
图3是表示用于旋削加工中的旋削装置的一个实施方式的立体图。
图4是刀具的分解立体图。
图5是表示旋削光器件晶片的状态的侧面图。
图6是表示旋削光器件晶片的状态的平面图。
图7是第1旋削工序中的光器件晶片和刀具的局部放大剖视图。
图8是第2旋削工序中的光器件晶片和刀具的局部放大剖视图。
图9是第2旋削工序后的光器件晶片的局部放大剖视图。
标号说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造