[发明专利]发光器件、制造发光器件的方法、以及发光器件封装

说明书

本发明涉及发光器件、制造发光器件的方法、以及发光器件封装。根据实施例的发光器件包括：导电支撑构件，该导电支撑构件在其外围区域处具有台阶部分；保护构件，该保护构件用于填充被形成在导电支撑构件的外围区域处的台阶部分；反射层，该反射层在导电支撑构件上方；以及发光结构，该发光结构在反射层和保护构件上方。

本申请是2011年1月6日提交的申请号为201110006105.4，发明名称为“发光器件、制造发光器件的方法、以及发光器件封装”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及发光器件、发光器件封装、以及制造发光器件的方法。

背景技术

发光二极管(LED)是将电流转换成光的半导体发光器件。近来，LED的亮度得以增加，使得LED已经被用作用于显示装置、车辆、或者照明装置的光源。另外，LED能够通过采用荧光材料或者组合具有各种颜色的LED而呈现出具有优秀的光效率的白色。

同时，LED制造工艺要求高精确度，并且在LED制造工艺中可靠性和高生产率是非常重要的。在这点上，已经执行了各种学习和研究，以确保LED制造工艺的可靠性。

发明内容

实施例提供能够提高可靠性的发光器件、发光器件封装、以及制造发光器件的方法。

根据实施例的发光器件可以包括：导电支撑构件；保护构件，该保护构件在导电支撑构件的顶表面的外围表面上方；反射层，该反射层在导电支撑构件上方；以及发光结构，该发光结构在反射层和保护构件上方，其中保护构件具有大约2μm至100μm的厚度。

根据实施例的制造发光器件的方法可以包括下述步骤：形成发光结构；在发光结构上形成具有大约2μm至100μm的厚度的保护构件；在保护构件内的发光结构层上形成反射层；在保护构件和反射层上形成导电支撑构件；以及沿着发光结构的芯片边界区域，通过执行隔离工艺将多个芯片划分为单独的芯片。

根据实施例的发光器件封装可以包括：主体；第一和第二电极，该第一和第二电极在主体上方；发光器件，该发光器件被电气地连接到主体上方的第一和第二电极；以及成型构件，该成型构件包围发光器件，其中，发光器件包括：导电支撑构件；保护构件，该保护构件在导电支撑构件的顶表面的外围表面上方，具有大约2μm至100μm的厚度；反射层，该反射层在导电支撑构件上方；以及发光结构，该发光结构在反射层和保护构件上方。

实施例能够提供能够提高可靠性的发光器件、发光器件封装、以及制造发光器件的方法。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的发光器件的截面图；

图2至图12是示出制造根据实施例的发光器件的方法的截面图；

图13是示出根据第二实施例的发光器件的截面图；

图14是示出根据第三实施例的发光器件的截面图；

图15是示出根据第四实施例的发光器件的截面图；

图16是示出根据第五实施例的发光器件的截面图；

图17是示出根据第六实施例的发光器件的截面图；

图18是示出包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的截面图；

图19是示出包括根据实施例的发光器件的背光单元的分解透视图；以及

图20是示出包括根据实施例的发光器件的照明单元的透视图。

具体实施方式