[发明专利]改进的高性能磁通门装置

说明书

本发明涉及一种改进的高性能磁通门装置。一种集成电路包括磁通门磁强计。利用非磁性金属或非磁性合金封装层118/122封装磁通门磁强计的磁芯120。封装层在磁芯材料120和周围电介质124之间提供应力松弛。一种用于形成集成电路的方法利用非磁性金属或非磁性合金层118/122封装磁通门磁强计的磁芯120，以消除分层并基本上减少围绕磁芯120的电介质的开裂。

技术领域

本发明涉及集成电路领域。更具体地，本发明涉及集成电路中的磁通门磁强计。

背景技术

集成电路具有磁通门磁强计。将磁通门磁强计集成到集成电路制造工艺中需要形成高磁导率材料(如，透磁合金(NiFe))的磁芯。磁芯可以是大的(其宽度和长度大于100微米)并且可以将高应力施加到集成电路。高应力可能造成集成电路的分层和开裂，降低产量。集成这种磁通门磁强计通常对磁芯的尺寸和/或厚度施加限制以避免由于分层和开裂导致的产量损耗。

发明内容

以下内容提供简化概述以提供对本发明的一个或更多方面的基本理解。此概述不是本发明的广泛概述，并且不旨在确定本发明的重要或关键元素，也不描述其范围。相反，此概述的主要目的是以简化形式提出本发明的一些概念，作为稍后提供的更详细的描述的前序。

一种集成电路包括磁通门磁强计。利用非磁性金属或合金层封装磁通门磁强计的磁芯。非磁性金属或非磁性合金层在磁芯材料和周围电介质之间提供应力松弛。非磁性金属或非磁性合金层防止分层并基本上减少由于应力导致的磁芯周围的电介质开裂。

附图说明

图1是包含磁通门磁强计的一个示例集成电路的横截面。

图2是磁通门磁强计的图形。

图3A至图3F是图1的集成电路的横截面，其示出制造的连续阶段。

具体实施方式

以下同样待审的专利申请是相关的并由此通过引用并入：US专利申请14/xxx,xxx(德州仪器案卷编号TI-74700)，与本申请同时提交。在这部分提到的，该专利申请并不被承认是本发明的现有技术。

参考附图描述本发明。附图不是按比例绘制，并且仅提供其以说明本发明。在下文参考用于说明的示例应用描述本发明的若干方面。应当理解，提出许多具体细节、关系和方法以提供对本发明的理解。然而，本领域技术人员将容易意识到本发明能够在没有具体细节中的一个或更多个的情况下或利用其他方法实现。在其他情况下，未详细示出已知结构或操作以避免混淆本发明。本发明不受动作或事件的所示顺序限制，因为一些动作可以以不同顺序和/或与其他动作或事件同时发生。此外，实现根据本发明的方法并不需要所有所示动作或事件。

具有磁通门磁强计的集成电路可以经形成以包括磁芯，其被封装在非磁性金属(如，Ti、Ta、Ru和Pt)或非磁性合金(如，TiN、TaN或AlN)中。磁芯被封装在非磁性金属(如，Ti、Ta、Ru和Pt)或非磁性合金中减小应力并防止分层。此外，磁芯被封装在非磁性金属或非磁性合金中大幅减少并几乎消除应力开裂。可以形成的开裂很小且不对产量产生不利影响。磁芯的封装使更大尺寸(长度、宽度和厚度)的磁芯形成在集成电路中。在下面的说明中，出于说明目的，金属钛被用作封装层，但是应理解，可以用Ta、Ru、Pt、TiN、TaN和AlN代替钛。

术语非磁性金属指金属Ti、Ta、Ru和Pt。

术语非磁性合金指TiN、TaN和AlN。