[发明专利]固体摄像装置、相机模块及固体摄像装置的制造方法在审
申请号: | 201510869865.6 | 申请日: | 2015-12-02 |
公开(公告)号: | CN105702691A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 川崎敦子;上野宗一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/373;H04N5/335 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 相机 模块 制造 方法 | ||
1.一种固体摄像装置,其特征在于具备:
传感器基板,具有微透镜;
透明树脂层,以与包含所述微透镜的表面的所述传感器基板的主表面接触的方 式设置;及
透明基板,配置在所述透明树脂层的上表面上;且
所述透明树脂层的导热率高于空气;且
所述透明树脂层的折射率较所述微透镜低且为所述透明基板以下。
2.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于:所述传感器基板、所述透明树 脂层、及所述透明基板的大小互为相等。
3.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于:所述透明基板仅与所述透明树 脂层的上表面接触。
4.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于:所述透明树脂层是积层有多个 树脂层的构造。
5.根据权利要求4所述的固体摄像装置,其特征在于:所述透明树脂层包括:第1树 脂层,以与包含所述微透镜的表面的所述传感器基板的所述主表面接触的方式设 置;及
第2树脂层,以与所述第1树脂层的上表面接触的方式设置;且
在将空气的导热率设为Kair、将所述第1树脂层的导热率设为Kr1、将所述第 2树脂层的导热率设为Kr2时,所述第1树脂层及所述第2树脂层满足Kair<Kr1、 Kair<Kr2的关系,且
在将所述微透镜的折射率设为Nm、将所述透明基板的折射率设为Ng、将所述 第1树脂层的折射率设为Nr1、将所述第2树脂层的折射率设为Nr2时,所述第1 树脂层及所述第2树脂层满足Nr1≤Ng、Nr1<Nm、Nr2<Nm的关系。
6.根据权利要求5所述的固体摄像装置,其特征在于:所述第1树脂层及所述第2树 脂层还满足Nr1≤Nr2的关系。
7.根据权利要求5所述的固体摄像装置,其特征在于:所述第1树脂层的上表面实质 上为平坦形状。
8.根据权利要求5所述的固体摄像装置,其特征在于:所述透明基板仅与所述第2树 脂层的上表面接触。
9.根据权利要求4所述的固体摄像装置,其特征在于:所述传感器基板、所述透明树 脂层、及所述透明基板的大小互为相等。
10.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于:具备设置在所述透明基板的上 表面上的红外线阻断膜。
11.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于:所述透明基板是透过可见光、 且阻断红外线的红外线阻断玻璃。
12.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于:所述透明树脂层透过可见光, 且阻断红外线。
13.一种相机模块,其特征在于具有:
固体摄像装置,接收光;
透镜支座,设置在所述固体摄像装置的上表面,且在内部具备使所述光聚光于 所述固体摄像装置的透镜;及
遮罩,以覆盖所述透镜支座的周围的方式设置;且
所述固体摄像装置具备:
传感器基板,具有像素,该像素具有微透镜且接收所述光;
透明树脂层,以与包含所述微透镜的表面的所述传感器基板的主表面接触的方 式设置;
透明基板,配置在所述透明树脂层的上表面上;及
红外线阻断膜,设置在所述透明基板的上表面上;且
所述透明树脂层的导热率高于空气;且
所述透明树脂层的折射率较所述微透镜低且为所述透明基板以下。
14.一种固体摄像装置的制造方法,其特征在于:在半导体晶片的主表面上形成分别包 含微透镜的多个受光部,且
在包含多个所述微透镜的表面的所述半导体晶片的所述主表面上依序形成透 明树脂层及透明基板,且所述透明树脂层具有高于空气的导热率,且具有较所述微 透镜低且为所述透明基板以下的折射率;且
将相当于多个受光部之间的所述半导体晶片、所述透明树脂层、及所述透明基 板切断。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的