[发明专利]多模功率放大器模组、芯片及通信终端

权利要求书

1.一种多模功率放大器模组，其特征在于包括低频功放通路、高频功放通路、控制电路和收发开关；

所述低频功放通路，包括顺序串联的低频输入匹配网络、低频功率放大器和低频输出匹配网络；所述低频输入匹配网络，用于接入低频射频信号，实现阻抗匹配；所述低频功率放大器，用于实现对所述低频射频信号的放大；所述低频输出匹配网络，用于实现低频的阻抗转换，以根据放大后的低频射频信号输出低频输出功率；

所述高频功放通路，包括顺序串联的高频输入匹配网络、高频功率放大器和高频输出匹配网络；所述高频输入匹配网络，用于接入高频射频信号，实现阻抗匹配；所述高频功率放大器，用于实现对所述高频射频信号的放大；所述高频输出匹配网络，用于实现高频的阻抗转换，以根据放大后的高频射频信号输出高频输出功率；

所述控制电路，接入控制电源Vbat、基带信号Vramp和工作模式选择信号；所述控制电路根据所述基带信号Vramp和所述工作模式选择信号，向所述低频功率放大器或高频功率放大器发送放大器控制信号，以控制所述低频功率放大器或高频功率放大器对所接入的低频射频信号或高频射频信号进行放大；其中，

所述控制电路中包括偏置信号生成电路；所述偏置信号生成电路包括：运算放大器、PMOS场效应晶体管以及偏置信号开关组；

所述运算放大器的正输入端接入参考电压Vref；所述参考电压Vref根据偏置信号Reg确定；所述运算放大器的输出端与所述PMOS场效应晶体管的栅极相连；所述PMOS场效应晶体管的源极接入所述控制电源Vbat；所述PMOS场效应晶体管的漏极为偏置信号生成电路的输出端，用于输出所述偏置信号Reg；所述偏置信号开关组接于所述运算放大器的负输入端与双极晶体管的集电极之间，在所述偏置信号开关组中的各个开关之间串接有电阻；

所述收发开关，与所述控制电路、低频输出匹配网络和高频输出匹配网络分别连接；所述收发开关，用于根据所述工作模式选择信号，选择对应的工作模式进行发射或接收。

2.如权利要求1所述的功率放大器模组，其特征在于：所述多模功率放大器模组支持GSM、EDGE、TDD_LTE和/或TD_SCDMA工作模式；

所述低频输入匹配网络，用于接入低频GSM信号或低频EDGE信号；

所述高频输入匹配网络，用于接入高频GSM信号、高频EDGE信号、TDD_LTE信号或TD_SCDMA信号。

3.如权利要求1所述的功率放大器模组，其特征在于：所述控制电路向所述低频功率放大器或高频功率放大器发送的放大器控制信号包括：逻辑信号Vmode、偏置信号Reg和/或集电极电压Vcc。

4.如权利要求3所述的功率放大器模组，其特征在于：所述低频功率放大器或高频功率放大器中设有反馈电路；所述逻辑信号Vmode用于控制所述反馈电路上的反馈开关打开或闭合；

当所述逻辑信号Vmode控制所述反馈开关打开时，所述低频功率放大器或高频功率放大器工作在高增益模式下；

当所述逻辑信号Vmode控制所述反馈开关闭合时，所述低频功率放大器或高频功率放大器工作在低增益模式下。

5.如权利要求3所述的功率放大器模组，其特征在于：所述集电极电压Vcc用于对所述低频功率放大器或高频功率放大器进行供电，以控制所述低频功率放大器或高频功率放大器放大后的低频射频信号或高频射频信号的输出功率；

所述控制电路，根据所述工作模式选择信号选择对应的基准电压，并根据所述基准电压生成所述集电极电压Vcc。

6.如权利要求5所述的功率放大器模组，其特征在于：

当所述工作模式选择信号为GSM模式时，所述控制电路选择所述基带信号Vramp作为所述基准电压，以生成所述集电极电压Vcc；

当所述工作模式选择信号为EDGE、TD_SCDMA或TDD_LTE模式时，所述控制电路选择参考电压Vref作为所述基准电压，以生成所述集电极电压Vcc；其中，所述参考电压Vref根据所述偏置信号Reg确定。