[发明专利]一种多晶硅高阻的制造方法在审
| 申请号： | 201510870997.0 | 申请日： | 2015-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN106816433A | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 李伟;郝龙 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 汪洋,徐雁漪 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅高阻 制造 方法 | ||
1.一种多晶硅高阻的制造方法，其特征在于，包括：
步骤S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括PMOS区、NMOS区和多晶硅高阻区，在所述半导体衬底上所述多晶硅高阻区内形成图案化的多晶硅电阻层；
步骤S2：对所述NMOS区内预定形成源/漏区的区域和所述多晶硅电阻层同时进行N型离子注入，对所述PMOS区内预定形成源/漏区的区域和所述多晶硅电阻层同时进行P型离子注入；其中，
所述N型离子注入的注入剂量与所述P型离子注入的注入剂量不同，所述多晶硅电阻层的高阻区通过所述P型离子和所述N型离子的中和掺杂而形成。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S1包括以下步骤：
步骤S11：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成隔离结构；
步骤S12：对所述半导体衬底进行离子注入，以形成位于所述半导体衬底中的阱区，在所述半导体衬底的表面上形成栅氧层；
步骤S13：在所述栅氧层的表面上沉积形成多晶硅层，并图案化所述多晶硅层以形成所述多晶硅电阻层。
3.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，在所述步骤S1之后所述步骤S2之前，还包括在所述多晶硅电阻层的两侧壁上形成侧墙的步骤。
4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述步骤S2之后，还包括以下步骤：
步骤S3：在部分所述多晶硅电阻层上形成硅化物阻挡层；
步骤S4：形成分别与所述多晶硅电阻层和源/漏区电连接的接触孔。
5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述N型离子的注入剂量大于所述P型离子的注入剂量。
6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述N型离子为砷或磷或其组合，所述N型离子注入的注入剂量为5.0E+15atom/cm2～7.0E+15atom/cm2。
7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述P型离子为硼，所述P型离子注入的注入剂量为2.0E+15atom/cm2～5.0E+15atom/cm2。
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