[发明专利]一种可调整有机发光二极管组件光谱的封装结构在审
| 申请号： | 201510872523.X | 申请日： | 2015-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN105390623A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 殷佩;萧如正;李孟庭 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可调整 有机 发光二极管 组件 光谱 封装 结构 | ||
1.一种可调整有机发光二极管组件光谱的封装结构，其特征在于，
所述封装结构包括至少一有机层，所述有机层具有一第一厚度和一第二厚度，且所述第一厚度与所述第二厚度之差大于所述有机发光二极管组件的光谱周期。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括一第一无机层和一第二无机层，并且所述有机层位于所述第一无机层与所述第二无机层之间。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述光谱周期满足数学关系式：
Cycle＝Peak/(2.1128*n-0.1978)
其中，Cycle为所述光谱周期，Peak为光谱峰值，n为所述有机层的折射率。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述第一无机层的截面为一水平直线，所述第二无机层的截面为一倒梯形，
其中，所述倒梯形的第一底边到所述水平直线的距离为所述有机层的第一厚度，以及所述倒梯形的第二底边到所述水平直线的距离为所述有机层的第二厚度。
5.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述第一无机层的截面为起伏不平的一曲线，所述第二无机层的截面为一水平直线，
其中，所述曲线的下凹部到所述水平直线的距离为所述有机层的第一厚度，以及所述曲线的上凸部到所述水平直线的距离为所述有机层的第二厚度。
6.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述有机层的折射率为1.5、1.64或1.85。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括交错堆叠的一第一无机层、一第一有机层、一第二无机层、一第二有机层以及一第三无机层，其中，所述第一有机层具有一第一厚度和一第二厚度，且所述第一厚度与所述第二厚度之差大于所述有机发光二极管组件的光谱周期。
8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述有机发光二极管组件依次包括一阳极、一空穴注入层、一空穴传输层、一发光层、一电子传输层以及一阴极，其中，所述发光层为绿色发光层。
9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构采用薄膜封装技术制作而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
