[发明专利]一种应用于超高频标签的解调电路

权利要求书

1.一种应用于超高频标签的解调电路，包括迟滞比较器，其特征在于，还包括包络检波电路和高低通滤波电路，其中：

包络检波电路，其输入端与射频天线相连，LO端接低电平，并由四个低阈值的MOS管M1-M4构成栅交叉结构，交替导通输出包络检波信号，其中，MOS管M1和MOS管M2的源极和衬底与LO端相连，MOS管M3和MOS管M4的源极和衬底与HO端相连，MOS管M1和MOS管M3的漏端连接到一起同时与电容C1相连，电容C1另一端为输入天线的RF+端；同理MOS管M2和MOS管M4的漏端连接到一起同时与电容C2相连，电容C2另一端为输入天线的RF-端，MOS管M1和MOS管M3的栅极与MOS管M2和MOS管M4的漏端相连，同时MOS管M2和MOS管M4的栅极与MOS管M1和MOS管M3的漏端相连，构成栅交叉的结构；

高低通滤波电路，采用电流源加电容电阻结构，通过电流源I1、I2和电容C1、C2及电阻R的使用实现滤波功能，对从包络检波电路接收的包络检波信号进行滤波，并发送给迟滞比较器，其中，电流源I1和电容C1并联在输入端VHI和地GND之间，同时输入端VHI与包络检波电路的输出端HO相连；电阻R连接在输入端VHI与输出端VLO之间，电流源I2和电容C2并联于输出端VLO与地GND之间。

2.根据权利要求1所述的解调电路，其特征在于，所述四个低阈值的MOS管中，MOS管M1和M2为NMOS管，MOS管M3和M4为PMOS管，且当RF+端为高电平、RF-端为低电平时，MOS管M2和MOS管M3导通，HO端通过电容与RF+相连,MOS管M2打开对RF-端的电容充电；反之，当RF-端为高电平、RF+端为低电平时，MOS管M1和M4导通HO端通过电容与RF-相连，MOS管M1打开对RF+端的电容充电。

3.根据权利要求1或2所述的解调电路，其特征在于，

电阻R和电流源I2的电流产生迟滞比较需要的电压差，电流源I1和电容C1与包络检波电路的输出HO连接，滤波稳压包络输出的高频信号，电流源I2和电容C2作为低频输出VLO的滤波电路。

4.根据权利要求3所述的解调电路，其特征在于，所述迟滞比较器与高低通滤波模块的输入压差一致。