[发明专利]一种电化学制备非晶单质硒薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备非晶单质硒薄膜的方法，其特征是包括下列步骤：a)电化学沉积液的配置：电化学沉积液为含亚硒酸(H₂SeO₃)和柠檬酸的水溶液。其中浓度范围为1-5mmol/L的亚硒酸，浓度范围为0.1-1mol/L的柠檬酸。溶液配制过程为：先称取一定量的亚硒酸(H₂SeO₃)溶于去离子水中,待溶解之后，再称取一定量的柠檬酸加入、溶解之后，即可制得电化学沉积混合液；b)单质硒薄膜的电化学沉积：利用三电极系统，以铂网为对电极，饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，导电玻璃(FTO)为工作电极，将电化学沉积混合液注入石英沉积槽中，采用恒电位沉积技术，沉积电位的设定取值范围为-0.5V～－0.8V(相对于饱和甘汞电极)，沉积时间为100～14400s，即可获得非晶单质硒薄膜。

2.按权利要求1制备非晶单质硒薄膜的方法所述的铂网与导电玻璃正对，间距3-5cm。

3.按权利要求1制备非晶单质硒薄膜的方法所述三电极系统也可替换为两电极系统，即仅用铂网对电极和导电玻璃构成沉积系统。

4.按权利要求1，2，3制备非晶单质硒薄膜的方法所述电化学沉积时，采用恒电位沉积技术，沉积电位设定取值范围为-0.5V～-0.8V(相对于饱和甘汞电极)。

5.按权利要求1，2，3,4制备非晶单质硒薄膜的方法所述电化学沉积技术恒电位沉积技术可替换为循环伏安法，电位窗口范围为-0.5V～-0.8V,电位扫描速度为0.01～0.3V/S,扫描圈数为10-1200圈。

6.按权利要求1，2，3，4，5制备非晶单质硒薄膜的方法所述柠檬酸可替换为0.1-1mol/L浓度的酒石酸。

7.按权利要求1，2，3，4，5，6制备非晶单质硒薄膜的方法所述沉积基底导电玻璃可替换为导电的金属板、石墨板、碳板。

8.按权利要求1，2，3，4，5，6，7制备非晶单质硒薄膜的方法所述对电极铂网可替换导电的金属板、石墨板、碳板。

9.按权利要求1，2，3，4，5，6，7，8制备非晶单质硒薄膜的方法所述通过调节沉积时间可得到不同厚度的非晶硒薄膜。