[发明专利]单晶硅生长炉真空支持系统

说明书

技术领域

本发明涉及单晶炉设备，特别是一种单晶硅生长炉真空支持系统。

背景技术

现有技术中，单晶硅生长炉真空支持系统通常没有辅真空支持，一旦真空支持系统出现故障，容易使长晶失败，造成较大损失；另外，在引晶失败后也无法更换籽晶，只能结束本次拉晶，造成较大损失；真空支持系统不配有过滤罐，氧化物直接进入真空泵，对真空泵造成不良影响；主真空泵意外停止时，氧化物回流进炉腔，污染正在生长的单晶硅锭。

发明内容

本发明的目的在于提供一种单晶硅生长炉真空支持系统,在主真空支持存在故障时，可使用辅真空支持，安全性更高。

为解决上述技术问题，本发明包括：主炉腔、主真空泵、辅真空泵、主阀、辅阀、隔离阀和上炉腔，其中：主炉腔由主阀与主真空泵相连，由隔离阀与上炉腔相连，上炉腔由辅阀与辅真空泵相连。

所述的主炉腔与主真空泵之间设有过滤罐，该过滤罐包括：罐体、与主炉腔的主阀相连的氧化阀、与主真空泵相连的反吹口以及排污口。

所述的主炉腔的主阀处设有蝶阀。

所述的主真空泵处设有压差阀。

本发明主、辅两路真空支持，主真空支持存在故障时，可使用辅真空支持，安全性更高；其次，隔离阀关闭后，主炉腔保持真空状态，上炉腔需要单独抽真空时，可使用辅真空支持；另外，主真空支持配有过滤罐，能够过滤主真空管路中的氧化物，防止氧化物直接进入主真空泵，对主真空泵造成不良影响；同时，过滤罐内氧化物可实现自动清洗；还有主真空泵前端配有压差阀，主真空泵意外停止时，能防止氧化物回流进炉腔污染正在生长的单晶硅锭。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步详细说明。

如图1所示，本实施例包括：主炉腔8、主真空泵9、辅真空泵10、主阀V1、辅阀V7、隔离阀11和上炉腔12，其中：主炉腔8由主阀V1与主真空泵9相连，由隔离阀11与上炉腔12相连，上炉腔12由辅阀V7与辅真空泵10相连。

所述的主炉腔8与主真空泵9之间设有过滤罐，该过滤罐包括：罐体13、与主炉腔8的主阀V1相连的氧化阀V3、与主真空泵9相连的反吹口V5以及排污口V4。

所述的主炉腔8的主阀V1处设有蝶阀V2。

所述的主真空泵9处设有压差阀V6。

主炉腔8工作时，运行主真空支持，主炉腔8的主阀V1和蝶阀V2打开，辅阀V7闭合，氧化阀V3、排污口V4和反吹口V5处于闭合状态，压差阀V6处于开合状态。主真空泵9与过滤罐相连，能过滤掉从主炉腔8抽入主真空管路中的氧化物微粒，防止氧化物直接进入主真空泵9，对主真空泵9造成不良影响；当主真空泵9意外停止时，压差阀V6立刻闭合，能防止氧化物回流进主炉腔8。

主炉腔8不工作时，可以对过滤罐进行清理。主炉腔8的主阀V1和蝶阀V2闭合，隔开主真空泵9和主炉腔8，打开氧化阀V3，让大气缓慢进入过滤罐，以氧化过滤器里面的粉尘，约3小时后，再打开反吹口V5，接通压缩空气，反吹清洁滤芯。然后打开排污口V4，使用吸尘器清理掉被压缩空气吹落的氧化物微粒。

当主真空泵9存在故障，关闭主炉腔8的主阀V1，打开辅阀V7，使用辅真空泵10继续抽真空；另外，在引晶失败后，可关闭隔离阀11，使主炉腔8保持真空状态，主真空泵9继续运行，再打开上炉腔12更换籽晶，然后打开辅阀V7，使用辅真空泵10对上炉腔12单独抽真空。

以上已对本发明创造的较佳实施例进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述的实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明创造精神的前提下还可以作出种种的等同的变型或替换，这些等同变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。