[发明专利]一种填充BST材料的共面波导结构移相器单元及移相方法

权利要求书

1.一种填充BST材料的共面波导结构移相器单元，其特征在于：包括共面波导结构基本移相器单元和BST材料层；所述共面波导结构基本移相器单元包括介质基板、信号带金属贴片以及两个接地带金属贴片，所述信号带金属贴片设置在介质基板的正中央，而两个接地带金属贴片分别设置在介质基板的两端上，且所述信号带金属贴片位于两个接地带金属贴片之间；所述BST材料层设置于信号带金属贴片和接地带金属贴片之间的缝隙内，且设置在介质基板上，所述信号带金属贴片、接地带金属贴片、BST材料层的厚度均一致，将共面波导结构的场主要束缚在信号带和接地带的缝隙中；所述介质基板为三氧化二铝陶瓷介质基板；所述BST材料层为Ba_0.5Sr_0.5TiO₃铁电材料层。

2.根据权利要求1所述的填充BST材料的共面波导结构移相器单元，其特征在于：所述信号带金属贴片紧贴在介质基板上，两个接地带金属贴片分别紧贴在介质基板的两端上，BST材料层紧贴在介质基板上。

3.根据权利要求1所述的填充BST材料的共面波导结构移相器单元，其特征在于：两个接地带金属贴片分别为左接地带金属贴片和右接地带金属贴片，左接地带金属贴片与信号带金属贴片相背离的侧面与介质基板左侧面对齐；右接地带金属贴片与信号带金属贴片相背离的侧面与介质基板右侧面对齐。

4.根据权利要求1所述的填充BST材料的共面波导结构移相器单元，其特征在于：所述信号带金属贴片的宽度s与BST材料层的宽度g的比值在1/10到1/8之间。

5.根据权利要求1所述的填充BST材料的共面波导结构移相器单元，其特征在于：所述信号带金属贴片、接地带金属贴片、BST材料层的厚度为16-20微米，介质基板厚度取450-550微米；信号带金属贴片宽度90-110μm，BST材料层宽度860-900μm，接地带金属贴片宽度300-340μm。

6.一种基于权利要求1至5任一所述的填充BST材料的共面波导结构移相器单元的移相方法，其特征在于：通过给BST材料层加直流馈电改变移相器单元的等效介电常数，从而达到移相的功能。

7.根据权利要求6所述的移相方法，其特征在于：在BST材料层上下表面加纵向直流馈电。

8.一种基于权利要求1至5任一所述的填充BST材料的共面波导结构移相器单元的制作方法，其特征在于：首先将信号带金属贴片粘贴在介质基板的正中央，将两个接地带金属贴片分别粘贴在介质基板的两端上；然后在信号带金属贴片与接地带金属贴片的缝隙内填充BST材料，形成BST材料层，进而得到移相器单元。