[发明专利]制造半导体装置的方法

说明书

相关申请的交叉引用

2015年1月5日提交的日本专利申请No.2015-000204的公开的全部内容，包括说明书、附图和摘要，以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及制造半导体装置的方法，该方法可适宜用作制造其中例如形成有相应电感器的两个半导体芯片被布置成彼此面对的半导体装置的方法。

背景技术

作为发送被输入具有不同电势的电信号的两个电路之间的电信号的技术，存在使用光电耦合器的技术。光电耦合器具有诸如发光二极管的发光元件和诸如光电晶体管的光接收元件。光电耦合器使用发光元件将向其输入的电信号转换成光并且使用光接收元件将光返回到电信号以发送电信号。

另一方面，已经开发出将两个电感器磁耦合(电感耦合)以发送电信号的技术。

日本未经审查的专利公开No.2011-54800(专利文献1)公开了一种涉及半导体芯片的技术，在该半导体芯片中，第一半导体芯片和第二半导体芯片形成有相应的电感器并且使用电感器的电感耦合执行各个芯片之间的信号传输。专利文献2描述了在两个半导体芯片之间还可设置绝缘粘合剂层。

[相关技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]

日本未经审查的专利公开No.2011-54800

发明内容

在形成有相应电感器的两个半导体芯片被布置成彼此面对并且使用磁耦合发送电信号的半导体装置中，在各个芯片之间会出现介电击穿。因此，期望使芯片之间的击穿电压最大并且提高半导体装置的可靠性。

根据本说明书和附图中的声明，本发明的其它问题和新颖特征将变得清楚。

根据实施例，一种制造半导体装置的方法是制造其中第一半导体芯片和第二半导体芯片经由绝缘片材堆叠并且所述第一半导体芯片的第一线圈磁耦合到所述第二半导体芯片的第二线圈的半导体装置的方法。制造第一半导体芯片的过程包括以下步骤：在第一半导体衬底上，形成具有一个或多个布线层并且包括所述第一线圈的第一布线结构；在所述第一布线结构上，形成第一绝缘膜；将所述第一绝缘膜的上表面平坦化。制造所述第二半导体芯片的过程包括以下步骤：在第二半导体衬底上，形成具有一个或多个布线层并且包括所述第二线圈的第二布线结构；在所述第二布线结构上，形成第二绝缘膜；将所述第二绝缘膜的上表面平坦化。所述第一半导体芯片经由所述绝缘片材与所述第二半导体芯片堆叠，使所述第一半导体芯片的所述第一绝缘膜和所述第二半导体芯片的所述第二绝缘膜彼此面对，使得所述第一半导体芯片的第一线圈磁耦合到所述第二半导体芯片的第二线圈。

根据实施例，可提高半导体装置的可靠性。

附图说明

图1是示出实施例中的使用半导体器件的电子装置的示例的电路图；

图2是示出信号传输的示例的例示图；

图3是实施例中的半导体封装的顶视图；

图4是图3中的半导体封装的透视平面图；

图5是图3中的半导体封装的透视平面图；

图6是图3中的半导体封装的透视平面图；

图7是图3中的半导体封装的透视平面图；

图8是图3中的半导体封装的透视平面图；

图9是图3中的半导体封装的透视平面图；

图10是图3中的半导体封装的透视平面图；

图11是图3中的半导体封装在其制造过程期间的剖视图；

图12是图11之后的、半导体封装在其制造过程期间的剖视图；

图13是图12之后的、半导体封装在其制造过程期间的剖视图；

图14是图13之后的、半导体封装在其制造过程期间的剖视图；

图15是图14之后的、半导体封装在其制造过程期间的剖视图；

图16是图15之后的、半导体封装在其制造过程期间的剖视图；

图17是示出实施例中的使用半导体器件的电子系统的示例的例示图；

图18是实施例中的半导体芯片的剖视图；

图19是实施例中的半导体芯片的平面图；

图20是实施例中的半导体芯片在其制造过程期间的剖视图；

图21是图20之后的、半导体芯片在其制造过程期间的剖视图；

图22是图21之后的、半导体芯片在其制造过程期间的剖视图；

图23是图22之后的、半导体芯片在其制造过程期间的剖视图；

图24是图23之后的、半导体芯片在其制造过程期间的剖视图；