[发明专利]有机发光晶体管及其应用

权利要求书

1.一种有机发光晶体管，包括依次层叠的衬底、栅电极层、栅绝缘层、发 光层以及源漏电极层，其特征在于，所述发光层的材质包含第二有机半导体材 料M2和第三有机半导体材料M3，所述M2和M3分别独立地选自不同的有机 功能材料，所述有机功能材料包括具有空穴传输能力的有机功能材料和具有电 子传输能力的有机功能材料，所述M2和M3具有II型半导体异质结结构，且 min(Δ(LUMO_M2-HOMO_M3),Δ(LUMO_M3-HOMO_M2))小于或等于M2和M3的三重 激发态能级。

2.根据权利要求1所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述发光层为质 量比为1:99-99:1的M2和M3的共混层。

3.根据权利要求1所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述发光层包含 至少一层材质为所述第二有机半导体材料M2的M2层和一层材质为所述第三有 机半导体材料M3的M3层。

4.根据权利要求3所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述发光层为多 层结构，所述多层结构由多个M2层和M3层相互交替层叠而成。

5.根据权利要求1所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述发光层包含 依次层叠的材质为所述第二有机半导体材料M2的M2层、材质为质量比为 1:99-99:1的M2和M3的共混层以及材质为所述第三有机半导体材料M3的M3 层。

6.根据权利要求1-5任一项所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述 M2选自：

7.根据权利要求1-5任一项所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述 M3选自：

8.根据权利要求1-5任一项所述的有机发光晶体管，其特征在于，M2和 M3的组合选自：

9.根据权利要求1-5任一项所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述栅 绝缘层与所述发光层之间还设有第一半导体层，所述第一半导体层的材质为第 一半导体材料M1；所述发光层与所述源漏电极层之间还设有第二半导体层，所 述第二半导体层的材质为第四半导体材料M4；所述M1和M4分别独立选自如 下不同的材料组：所述材料组包括第一材料组和第二材料组，所述第一材料组 选自P型无机半导体材料、P型有机半导体材料或具有空穴传输能力的有机功能 材料，所述第二材料组选自n型无机半导体材料、n型有机半导体材料或具有电 子传输能力的有机功能材料。

10.根据权利要求9所述的有机发光晶体管，其特征在于，当所述发光层 为多层结构，其与所述第一半导体层相邻的结构层的材质与所述第一半导体层 的材质须满足如下条件：同为具有电子传输能力的有机功能材料或同为具有空 穴传输能力的有机功能材料；与所述第一半导体层相邻的结构层的材质为n型 半导体材料，则第一半导体层的材质为具有电子传输能力的有机功能材料；与 所述第一半导体层相邻的结构层的材质为P型半导体材料，则第一半导体层的 材质为具有空穴传输能力的有机功能材料。

11.根据权利要求9所述的有机发光晶体管，其特征在于，当所述发光层 为多层结构，其与所述第二半导体层相邻的结构层的材质与所述第二半导体层 的材质须满足如下条件：同为具有电子传输能力的有机功能材料或同为具有空 穴传输能力的有机功能材料；与所述第二半导体层相邻的结构层的材质为n型 半导体材料，则第二半导体层的材质为具有电子传输能力的有机功能材料；与 所述第二半导体层相邻的结构层的材质为P型半导体材料，则第二半导体层的 材质为具有空穴传输能力的有机功能材料。