[发明专利]一种六硼化镧准一维纳米结构阵列材料的制备方法

权利要求书

1.一种六硼化镧准一维纳米结构阵列材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）将硼源置于管式电炉石英管上气流方向的温区1，镧源置于管式炉石英管下气流方向的温区2，硅衬底置于温区2镧源的下气流方向，然后把石英管抽真空，再充满保护性气氛，重复洗气≥2次后，抽真空；所述硼源为硼氢化钾、硼氢化钠或硼氢化锂中的一种或几种；

（2）向石英管通入保护性气氛，先以速率20～30℃/min，将温区1和温区2分别升温至500～600℃和800～900℃，待温区1和温区2温度稳定后，保温5～10min，然后再以速率20～30℃/min，将温区1和温区2分别升温至900～1100℃和900～1100℃，待温区1和温区2温度稳定后，保温20～120min，在保护性气氛下，自然冷却至室温，得六硼化镧准一维纳米结构阵列材料。

2.根据权利要求1所述六硼化镧准一维纳米结构阵列材料的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述硼源中硼元素与镧源中镧元素的摩尔比为6～100:1。

3.根据权利要求1所述六硼化镧准一维纳米结构阵列材料的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述硼源中硼元素与镧源中镧元素的摩尔比为10～50:1。

4.根据权利要求1～3之一所述六硼化镧准一维纳米结构阵列材料的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，所述保护性气氛通入的流速为5～200 mL/min。

5.根据权利要求1～3之一所述六硼化镧准一维纳米结构阵列材料的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，所述保护性气氛通入的流速为50～150 mL/min。

6.根据权利要求1～3之一所述六硼化镧准一维纳米结构阵列材料的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，先以速率20～30℃/min，将温区1和温区2分别升温至520～550℃和850～880℃，待温区1和温区2温度稳定后，保温5～10min，然后再以速率20～30℃/min，将温区1和温区2分别升温至930～1080℃和930～1080℃，待温区1和温区2温度稳定后，保温40～80min，在保护性气氛下，自然冷却至室温，得六硼化镧准一维纳米结构阵列材料。

7.根据权利要求4所述六硼化镧准一维纳米结构阵列材料的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，先以速率20～30℃/min，将温区1和温区2分别升温至520～550℃和850～880℃，待温区1和温区2温度稳定后，保温5～10min，然后再以速率20～30℃/min，将温区1和温区2分别升温至930～1080℃和930～1080℃，待温区1和温区2温度稳定后，保温40～80min，在保护性气氛下，自然冷却至室温，得六硼化镧准一维纳米结构阵列材料。

8.根据权利要求5所述六硼化镧准一维纳米结构阵列材料的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，先以速率20～30℃/min，将温区1和温区2分别升温至520～550℃和850～880℃，待温区1和温区2温度稳定后，保温5～10min，然后再以速率20～30℃/min，将温区1和温区2分别升温至930～1080℃和930～1080℃，待温区1和温区2温度稳定后，保温40～80min，在保护性气氛下，自然冷却至室温，得六硼化镧准一维纳米结构阵列材料。

9.根据权利要求1～3之一所述六硼化镧准一维纳米结构阵列材料的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述镧源为无水氯化镧、含水氯化镧、氧化镧或氯氧化镧中的一种或几种。

10.根据权利要求4所述六硼化镧准一维纳米结构阵列材料的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述镧源为无水氯化镧、含水氯化镧、氧化镧或氯氧化镧中的一种或几种。

11.根据权利要求5所述六硼化镧准一维纳米结构阵列材料的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述镧源为无水氯化镧、含水氯化镧、氧化镧或氯氧化镧中的一种或几种。

12.根据权利要求6所述六硼化镧准一维纳米结构阵列材料的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述镧源为无水氯化镧、含水氯化镧、氧化镧或氯氧化镧中的一种或几种。

13.根据权利要求7所述六硼化镧准一维纳米结构阵列材料的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述镧源为无水氯化镧、含水氯化镧、氧化镧或氯氧化镧中的一种或几种。