[发明专利]一种产生单层和/或双层等离子体光子晶体的装置及方法有效

专利信息
申请号: 201510878651.5 申请日: 2015-12-04
公开(公告)号: CN105319611B 公开(公告)日: 2017-01-25
发明(设计)人: 董丽芳;高星 申请(专利权)人: 河北大学
主分类号: G02B1/00 分类号: G02B1/00;H05H1/24
代理公司: 石家庄国域专利商标事务所有限公司13112 代理人: 胡素梅,苏艳肃
地址: 071002 河北省保*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 一种 产生 单层 双层 等离子体 光子 晶体 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种产生单层和/或双层等离子体光子晶体的装置,包括真空反应室、安装在所述真空反应室内的两个水电极以及与所述水电极电连接的等离子体发生电源;其特征是,在两个所述水电极之间通过左、中、右三层依序叠加贴合的玻璃制有空腔截面呈H型结构的放电间隙,左、中、右三层玻璃分别与两个所述水电极的轴心线相垂直。

2.根据权利要求1所述的产生单层和/或双层等离子体光子晶体的装置,其特征是,左、中、右三层玻璃均为整块玻璃,所述放电间隙是通过在左、中、右三层整块玻璃中心分别开矩形孔而制成。

3.根据权利要求1所述的产生单层和/或双层等离子体光子晶体的装置,其特征是,左、中、右三层玻璃均由上下对称的两片玻璃构成,在三层玻璃的前侧和后侧分别设有玻璃封边;通过使左、中、右每一层玻璃中的上下两片玻璃之间具有预留间隙,即可在两个所述水电极之间形成空腔截面呈H型结构的放电间隙。

4.根据权利要求1所述的产生单层和/或双层等离子体光子晶体的装置,其特征是,左、中、右三层玻璃的厚度均在0.5mm~2mm之间。

5.根据权利要求1所述的产生单层和/或双层等离子体光子晶体的装置,其特征是,所述放电间隙与左、中、右三层玻璃对应部位的高度分别为3mm~9mm、1mm~3mm、3mm~9mm。

6.一种产生单层和/或双层等离子体光子晶体的方法,其特征是,包括如下步骤:

a、设置一个真空反应室,并在所述真空反应室内安装两个水电极,同时将所述水电极与等离子体发生电源电连接;

b、在两个所述水电极之间设置有左、中、右三层依序叠加贴合的玻璃,在三层玻璃上制有空腔截面呈H型结构的放电间隙,左、中、右三层玻璃分别与两个所述水电极的轴心线相垂直;

c、闭合开关,等离子体发生电源作用于两个所述水电极,即可在两个所述水电极之间产生单层、双层或单双层并存的等离子体光子晶体。

7.根据权利要求6所述的产生单层和/或双层等离子体光子晶体的方法,其特征是,在所述真空反应室内注有放电气体,所述放电气体为气压可调的空气、氩气或两者的混合气体。

8.根据权利要求7所述的产生单层和/或双层等离子体光子晶体的方法,其特征是,所述真空反应室内的放电气体的气压为0.2Pa~0.6Pa。

9.根据权利要求7所述的产生单层和/或双层等离子体光子晶体的方法,其特征是,所述放电气体为空气和氩气的混合气体,且氩气体积占混合气体体积的50%~99%。

10.根据权利要求6所述的产生单层和/或双层等离子体光子晶体的方法,其特征是,所述等离子体发生电源的放电电压为2.0kV~6.0kV;所述等离子体发生电源的放电频率为49kHz~60kHz。

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