[发明专利]抗干扰薄膜混合集成电路的集成方法

权利要求书

1.抗干扰薄膜混合集成电路的集成方法，其特征是将金属与陶瓷的复合材料用作管基和管帽的材料，以满足从低频、中频到高频全频段的屏蔽要求，具体的集成方法是：在预先烧结成型的陶瓷管基、陶瓷管帽的外表面，采用涂覆金属浆料烧结或化学电镀的方式生长所需金属层，再进行半导体集成电路芯片和片式元器件的装贴、引线键合和封帽；这样，管基和管帽将陶瓷材料和金属材料二者有机结合，即实现从低频到高频的电磁屏蔽，使封装内外电磁环境达到良好的隔离，从而实现提高薄膜混合集成电路抗干扰能力的目的。

2.如权利要求1所述的方法，详细的集成工艺是：

陶瓷管基、陶瓷管帽、镀层材料的准备；

在陶瓷管基、陶瓷管帽的外表面化学镀铬；

在陶瓷管基、陶瓷管帽的外表面电镀金；

电镀后陶瓷管基、陶瓷管帽的清洗与烘干；

基片清洗与烘干；

采用真空溅射工艺或真空电子束蒸发工艺在基片正面形成电阻薄膜；

接着采用真空溅射工艺或真空电子束蒸发工艺在电阻薄膜的表面及基片背面形成金属薄膜；

采用光刻、选择性腐蚀的方法形成所需薄膜电阻、薄膜导带、键合区、装结区等图形网络；

调整电阻（激光调阻）；

划片分离；

在薄膜基片上组装半导体集成电路芯片和片式元器件；

用硅-铝丝或金丝键合以完成半导体芯片的电路连接；

封帽；

性能测试；

老化筛选测试、密封性检查；

产品编号打印、包装入库。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述管帽金属层和管基金属层的金属层结构是铬和金。