[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510881025.1 | 申请日： | 2015-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN105702733B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木俊成 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/34 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 高迪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：
栅极电极，在图案端部具有第一侧壁；
栅极绝缘层，被配置于所述栅极电极的上表面及所述第一侧壁；
氧化物半导体层，与所述第一侧壁对置地配置；
第一绝缘层，被配置在所述氧化物半导体层上；
第一电极，与所述氧化物半导体层的第一部分连接；以及
第二电极，与所述氧化物半导体层的第二部分连接；
所述栅极绝缘层被配置在所述第一侧壁与所述氧化物半导体层之间，
所述氧化物半导体层被配置在所述栅极绝缘层与所述第一绝缘层之间，
所述第一绝缘层与所述氧化物半导体层相接地配置，
所述氧化物半导体层经由被设置于所述栅极绝缘层的第一开口部与所述第一电极连接，
所述第二电极经由被设置于所述第一绝缘层的第二开口部与所述氧化物半导体层连接。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一侧壁为倾斜面朝向上方的锥形状。
3.一种半导体装置，其特征在于，具有：
栅极电极，在图案端部具有第一侧壁；
栅极绝缘层，被配置于所述栅极电极的上表面及所述第一侧壁；
氧化物半导体层，与所述第一侧壁对置地配置；
第一绝缘层，被配置在所述氧化物半导体层上；
第一电极，与所述氧化物半导体层的第一部分连接；以及
第二电极，与所述氧化物半导体层的第二部分连接；
所述栅极绝缘层被配置在所述第一侧壁与所述氧化物半导体层之间，
所述氧化物半导体层被配置在所述栅极绝缘层与所述第一绝缘层之间，
所述半导体装置还具有第二绝缘层，该第二绝缘层被配置在所述栅极电极与所述第一电极之间，
所述栅极电极在俯视时与所述第一电极重叠，
所述第一侧壁在所述栅极电极的图案端部被设置为环状。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一侧壁为倾斜面朝向上方的锥形状。
5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述第二绝缘层在所述第二绝缘层的图案端部具有第二侧壁，
所述栅极绝缘层被配置于所述第二侧壁，
所述氧化物半导体层与所述第二侧壁对置地配置，
所述栅极绝缘层被配置在所述第二侧壁与所述氧化物半导体层之间。
6.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
多个环状的所述第一侧壁相邻地配置，
所述第一电极、所述第二电极及所述栅极电极针对所述多个环状的所述第一侧壁共通地设置。
7.一种半导体装置，其特征在于，具有：
栅极电极，在图案端部具有第一侧壁；
栅极绝缘层，被配置于所述栅极电极的上表面及所述第一侧壁；
氧化物半导体层，与所述第一侧壁对置地配置；
第一绝缘层，被配置在所述氧化物半导体层上；
第一电极，与所述氧化物半导体层的第一部分连接；以及
第二电极，与所述氧化物半导体层的第二部分连接；
所述栅极绝缘层被配置在所述第一侧壁与所述氧化物半导体层之间，
所述氧化物半导体层被配置在所述栅极绝缘层与所述第一绝缘层之间，
所述半导体装置还具有第二绝缘层，该第二绝缘层被配置在所述栅极电极与所述第一电极之间，
所述栅极电极在俯视时与所述第一电极重叠，
所述第一侧壁被设置在所述栅极电极的图案内部，在到达所述第一电极的开口区域中被设置为环状。
8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一侧壁为倾斜面朝向上方的锥形状。
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