[发明专利]一种提升通孔层工艺窗口的方法有效
| 申请号： | 201510881247.3 | 申请日： | 2015-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN105374746B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 卢意飞;袁伟;李铭;胡红梅 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;尹英 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通孔图形 工艺窗口 冗余通孔 通孔层 刻蚀 上层金属层 硬掩膜层 介质层 光刻 传递 低密度区域 金属层图形 空白区域 冗余图形 实际电路 图形传递 一次性 硅片 通孔 解析 电路 查找 阻挡 | ||
1.一种提升通孔层工艺窗口的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：在通孔层版图上查找图形密度低的区域，在不影响实际电路设计的空白区域添加冗余通孔图形；其中，所述图形密度低的区域含有孤立的通孔图形，将所述冗余通孔图形添加在通孔图形附近的上层金属层图形两侧的空白区域；
步骤二：提供一衬底硅片，所述硅片上依次形成有介质层和硬掩模层，在硅片上进行通孔上层金属层图形的光刻工艺，并通过刻蚀把上层金属层图形传递到硬掩膜层；
步骤三：根据步骤一得到的通孔层版图，在硅片上进行通孔图形的光刻工艺，并通过刻蚀把通孔图形传递到介质层；其中，利用硬掩膜层阻挡冗余通孔图形向介质层传递；
步骤四：通过刻蚀工艺，将通孔图形和金属层图形一次性传递到硅片上。
2.根据权利要求1所述的提升通孔层工艺窗口的方法，其特征在于，将所述冗余通孔图形添加在空白区域的方法包括：首先在通孔层版图上查找到图形密度低的区域，然后结合上、下层金属层版图图形，找到符合插入规则的通孔图形区域，插入冗余通孔图形。
3.根据权利要求2所述的提升通孔层工艺窗口的方法，其特征在于，符合所述插入规则包括同时满足：符合通孔层的设计规则以及对设计电路的上、下层金属层没有影响。
4.根据权利要求1所述的提升通孔层工艺窗口的方法，其特征在于，将所述冗余通孔图形在通孔图形附近的上层金属层图形两侧的空白区域对称添加。
5.根据权利要求4所述的提升通孔层工艺窗口的方法，其特征在于，将所述冗余通孔图形在通孔图形附近的上层金属层图形两侧的空白区域对称添加一至数对。
6.根据权利要求1、2、4或5所述的提升通孔层工艺窗口的方法，其特征在于，所述冗余通孔图形与通孔图形尺寸一致或接近。
7.根据权利要求1、2、4或5所述的提升通孔层工艺窗口的方法，其特征在于，所述冗余通孔图形与通孔图形形状一致或接近。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
