[发明专利]曝光装置有效
申请号: | 201510881762.1 | 申请日: | 2015-12-03 |
公开(公告)号: | CN105676596B | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 奥山隆志;菊地信司 | 申请(专利权)人: | 株式会社ORC制作所 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 装置 | ||
1.一种曝光装置,其特征在于,具备:
光调制元件阵列,其由多个光调制元件呈矩阵状排列而成;
扫描部,其使由所述光调制元件阵列形成的曝光区相对于被描绘体沿着主扫描方向相对移动;
曝光控制部,其根据与所述曝光区的相对位置对应的图案数据,对所述多个光调制元件进行控制;
成像光学系统,其使来自所述光调制元件阵列的图案光在所述被描绘体的描绘面上成像;
遮光部,其沿着所述描绘面形成了至少1个缝隙;
测光部,其接收透过所述缝隙的光;以及
对焦检测部,其根据所述测光部的输出,检测对焦状态,
在所述曝光区在所述遮光部上相对移动的期间,所述曝光控制部投影线与间隙图案光,
所述对焦检测部根据通过线与间隙图案光的投影而检测到的波形光量的振幅和处于对焦范围时的基准振幅,检测所述描绘面是否处于对焦范围。
2.根据权利要求1所述的曝光装置,其特征在于,
所述对焦检测部根据光量振幅与基准振幅之比即振幅比,判断是否处于对焦范围。
3.根据权利要求2所述的曝光装置,其特征在于,
所述对焦检测部根据所述振幅比与所述成像光学系统的焦点位置之间的对应关系,判断是否处于对焦范围。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的曝光装置,其特征在于,
所述对焦检测部根据线与间隙图案光的平均光量以及未投影线与间隙图案光时的基础光量,计算基准振幅。
5.根据权利要求4所述的曝光装置,其特征在于,
所述遮光部具有平均光量测量用开口部,
所述测光部具有接收穿过所述平均光量测量用开口部的线与间隙图案光的平均光量用受光部。
6.一种曝光装置,其特征在于,具备:
光调制元件阵列,其由多个光调制元件呈矩阵状排列而成;
扫描部,其使由所述光调制元件阵列形成的曝光区相对于被描绘体沿着主扫描方向相对移动;
曝光控制部,其根据与所述曝光区的相对位置对应的图案数据,对所述多个光调制元件进行控制;
成像光学系统,其使来自所述光调制元件阵列的图案光在所述被描绘体的描绘面上成像;
遮光部,其沿着所述描绘面形成了至少1个缝隙;
测光部,其接收透过所述缝隙的光;以及
分辨率检测部,其根据来自所述测光部的输出,检测所述成像光学系统的分辨率,
在所述曝光区在所述遮光部上相对移动的期间,所述曝光控制部投影线与间隙图案光,
所述分辨率检测部根据通过线与间隙图案光的投影而检测到的波形光量的振幅和具有事先确定的极限分辨率以上的分辨率时的基准振幅,检测分辨率是否低于极限分辨率。
7.根据权利要求6所述的曝光装置,其特征在于,
所述分辨率检测部根据检测到的振幅与基准振幅之比即振幅比,判断分辨率是否低于极限分辨率。
8.根据权利要求7所述的曝光装置,其特征在于,
所述分辨率检测部根据振幅比与所述成像光学系统的分辨率之间的对应关系,判断分辨率是否低于极限分辨率。
9.一种曝光装置,其特征在于,具备:
光调制元件阵列,其由多个光调制元件呈矩阵状排列而成;
扫描部,其使由所述光调制元件阵列形成的曝光区相对于被描绘体沿着主扫描方向相对移动;
曝光控制部,其对所述多个光调制元件进行控制,向所述被描绘体投影沿着主扫描方向排列的线与间隙图案的光;
测光部,其接收通过相对于线与间隙图案的线方向倾斜的细长的测光区域的光;以及
光量检测部,其根据线与间隙图案在所述测光区域中相对移动时的来自所述测光部的输出,检测曝光区的光量分布,
以依次计测线与间隙图案的各线状图案的光量的方式,确定了线与间隙图案的节距。
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