[发明专利]基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的制备方法

权利要求书

1.一种基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的制备方法，该方法 包括：

步骤1：在衬底(101)上，淀积第一电热绝缘材料层(201)；

步骤2：在第一电热绝缘材料层(201)上，采用“光刻-薄膜淀积- 剥离”的方法制备水平对置电极层(301)和水平对置电极缝隙(3011)；

步骤3：在第一电热绝缘材料层(201)和水平对置电极层(301)上 以及水平对置电极缝隙(3011)内，采用“光刻-薄膜淀积-剥离”的方 法制备相变材料层(401)；

步骤4：在第一电热绝缘层(201)、水平对置电极层(301)和相变材 料层(401)的暴露的上表面，采用“光刻-薄膜淀积-剥离”的方法制 备第二电热绝缘材料层(202)，钝化相变材料层(401)并暴露出水平对 置电极层(301)的电极接触端(3012)；

步骤5：退火并通过电极接触端(3012)对相变材料层(401)施加电 脉冲，非晶化位于水平对置电极缝隙(3011)内的相变材料层(401)，并 依次湿法腐蚀去除第二电热绝缘材料层(202)，碱性溶液湿法腐蚀仅保留 位于水平对置电极缝隙(3011)内的相变材料节点层(4011)；

步骤6：在第一电热绝缘材料层(201)、水平对置电极层(301)和相 变材料节点层(4011)暴露的表面上，采用“光刻-薄膜淀积-剥离”的 方法制备第三电热材料层(203)钝化器件，完成器件制备，其中相变材 料层(401)和相变材料节点层(4011)的材料是GeSbTe系列合金。

2.根据权利要求1所述的基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的 制备方法，衬底(101)的材料为硅、氮化镓或蓝宝石。

3.根据权利要求2所述的基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的 制备方法，其中第一、第二和第三电热绝缘材料层(201)、(202)和(203) 的材料是硅的氮氧化合物、氮化物或氧化物中的任意一种或几种的组合。

4.根据权利要求1所述的基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的 制备方法，其中第一、第二和第三电热绝缘材料层(201)、(202)和(203) 是通过溅射法、蒸镀法、化学气相淀积法、激光辅助淀积法、原子层淀积 法、热氧化法或金属有机物热分解法中的一种制备。

5.根据权利要求1所述的基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的 制备方法，其中水平对置电极层(301)和电极接触端(3012)的材料是 钨、氮化钛、镍、铝、钛、金、银、铜或铂金属单质、及其氧化物中的一 种或几种的组合。

6.根据权利要求5所述的基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的 制备方法，其中水平对置电极层(301)和电极接触端(3012)的材料是 通过溅射法、蒸镀法、化学气相淀积法、原子层沉积法或金属有机物热分 解法中的一种或者几种制备。

7.根据权利要求1所述的基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的 制备方法，其中相变材料层(401)和相变材料节点层(4011)是通过溅 射法、化学气相淀积法或原子层沉积法中的一种或者几种制备。