[发明专利]一种纳米氧化钨电致变色薄膜的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体氧化物材料制备技术领域，特别是一种可应用于电致变色、光致变色和智能显示的纳米氧化钨薄膜的制备方法。

背景技术

三氧化钨是一种n型宽禁带半导体氧化物（禁带宽度约2.8eV），在低温、室温时WO₃以单斜相和三斜相形式存在，而在高温时会出现正交相和四方相。其理想晶体结构可看作由中心W原子和围绕在W原子周围的6个O原子所组成的钨氧八面体[WO₆]经过共顶点连接而成，八面体之间有许多空隙，形成了各种通道，这些通道可用于离子的流通渠道和嵌入位置，是H⁺、Li⁺等离子的良好注入体。因此WO₃凭借其响应速度快、着色效率高、着色/消色对比度高等优异性能，作为变色材料广泛用于电致变色器件、光致变色器件和智能显示等领域。

氧化钨薄膜的微观结构和性能依赖于制备方法及工艺参数，不同制备方法获得的氧化钨薄膜在晶型、微结构等方面有较大差异。现有技术中，传统制备氧化钨薄膜的制备方法蒸发法、溅射法、溶胶凝胶法、脉冲激光沉积法、电沉积法和水热法等。中国专利（201210162777.9）公布了一种钨基三氧化钨纳米薄膜材料及其制备方法和应用，该方法将钨片进行氧化处理以形成细小的WO₃晶种，然后进一步采用水热反应，通过聚乙二醇晶体生长导向剂及晶体生长材料钨酸钠的作用在金属钨基表面定向生长WO₃纳米片，从而形成高度有序三氧化钨纳米薄膜材料。中国专利（200910059118.0）公布了一种WO₃电致变色薄膜制备方法，该方法采用溶胶-凝胶法制备WO₃电致变色薄膜，但薄膜质量不高，电致变色器件性能低。中国专利（200910096737.7）公布了一种磁控溅射法制备WO₃薄膜的全固态电致变色器件，但磁控溅射方法制备出的WO₃薄膜结晶性高，不利于电致变色过程中H⁺、Li⁺的注入与抽出，从而无法达到较快的响应速度。故此，目前仍需寻求一种高电致变色性能的氧化钨薄膜制备方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种纳米WO₃电致变色薄膜的制备方法。

实现本发明目的的技术解决方案为：一种纳米WO₃电致变色薄膜的制备方法，将液相激光烧蚀方法与电泳沉积方法相结合，首先通过液相激光烧蚀钨源靶材，获得含氧化钨纳米颗粒的胶体溶液；然后在获得的胶体溶液中通过电泳沉积在透明导电玻璃基片上制备纳米氧化钨薄膜，具体包括以下步骤：

步骤1、在反应容器中加入配制好的溶液，将钨源靶材置于溶液中，并使溶液浸过靶材表面，采用磁力搅拌器均匀搅拌溶液；

步骤2、调节激光器的脉冲激光光束的光路，使激光光束聚焦在溶剂液面以下的靶材，选取适当的激光波长、频率及能量，开启脉冲激光，在液体环境中对钨源靶材进行烧蚀反应；

步骤3、脉冲激光烧蚀反应结束后，关闭脉冲激光，获得含氧化钨纳米颗粒的胶体溶液，并在室温陈化，使激光烧蚀产物与溶液进一步反应；

步骤4、调整陈化后激光产物溶液的pH值，并在溶液中放入透明导电玻璃作为电极，对陈化后的激光产物在酸性条件下进行电泳沉积，从而制备出纳米氧化钨薄膜。

本发明与现有技术相比，其显著优点为：1）本发明采用液相激光烧蚀技术能在液相环境中通过调节激光及溶液参数，可以获得高活性、高杂化程度的WO₃产物；2）本发明操作简便，制备过程快捷，反应条件温和，容易控制；3）本发明所得到的纳米WO₃电致变色薄膜着色/消色对比度高、响应速度快。

附图说明

图1为实例1制备的产物纳米WO₃薄膜的SEM图。

图2为实例1制备的产物纳米WO₃薄膜在着色/消色过程中的电流响应曲线。

图3为实例1制备的产物纳米WO₃薄膜电致变色前后的图片，其中图（a）为初始沉积态，图（b）为着色态，图（c）为消色态。

图4为实例2制备的产物纳米WO₃薄膜的SEM图。

图5为实例2制备的产物纳米WO₃薄膜在着色/消色过程中的电流响应曲线。

图6为实例3制备的产物纳米WO₃薄膜的SEM图。