[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

导电层，其具有导电性；

第一绝缘膜，其被配置在所述导电层上，并且至少表层部为硼磷硅玻璃 膜，并具有到达所述导电层的接触孔；

阻挡金属，其覆盖所述接触孔的内表面；

接触电极，其在所述接触孔内被配置于所述阻挡金属上；

表面电极，其被配置在所述硼磷硅玻璃膜和所述接触电极上，

在所述硼磷硅玻璃膜与所述表面电极之间不存在所述阻挡金属，从而所 述表面电极与所述硼磷硅玻璃膜直接接触，

在所述表面电极中形成有接合衬垫。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

还具有第二绝缘膜，所述第二绝缘膜被配置在所述表面电极上并具有开 口部，

所述接合衬垫被形成在露出于所述开口部内的所述表面电极中。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

在所述接合衬垫的下部形成有多个所述接触孔。

4.如权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置，其中，

所述第一绝缘膜具有被形成于所述硼磷硅玻璃膜与所述导电层之间的无 掺杂硅玻璃膜。

5.如权利要求1至4中任意一项所述的半导体装置，其中，

还具有半导体基板和第三绝缘膜，所述第三绝缘膜被配置在所述半导体 基板上，

所述导电层被配置在所述第三绝缘膜上并由多晶硅形成。

6.一种方法，其为制造半导体装置的方法，包括：

在具有导电性的导电层上形成至少表层部为硼磷硅玻璃膜的第一绝缘膜 的工序；

在所述第一绝缘膜上形成到达所述导电层的接触孔的工序；

形成对所述接触孔的内表面和所述硼磷硅玻璃膜的表面进行覆盖的阻挡 金属的工序；

在所述阻挡金属上形成接触电极的工序；

以使所述接触孔的外部的所述接触电极被去除且使所述接触孔内残留有 所述接触电极的方式而对所述接触电极进行蚀刻的工序；

以使所述硼磷硅玻璃膜上的所述阻挡金属被去除的方式而对所述阻挡金 属进行蚀刻的工序；

在所述硼磷硅玻璃膜和所述接触电极上形成表面电极的工序。