[发明专利]LED芯片封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种LED芯片封装结构，所述LED芯片包括衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层及N电极和P电极，其特征在于，所述LED芯片上预设有用于进行MESA光刻的MESA线，所述P型半导体层、发光层及部分N型半导体层沿MESA线刻蚀形成有N台阶，所述N台阶上设有支撑平台，所述N电极包裹所述支撑平台并与N型半导体层电性连接，所述N电极的上边缘与MESA线之间的距离大于N电极的下边缘与MESA线之间的距离，所述N电极上通过焊球与焊接线电性连接。

2.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述N电极的下边缘边缘与MESA线之间的距离为5~15μm，N电极的上边缘与MESA线之间的距离为10~30μm。

3.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述N电极在支撑平台侧边的厚度为0.5~3μm，所述N电极在支撑平台上方的厚度为0.5~3μm。

4.根据权利要求3所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述N电极在支撑平台上方的厚度与N电极在支撑平台侧边的厚度相等。

5.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述焊球的面积小于N电极上表面的面积。

6.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述支撑平台为与N型半导体层绝缘连接或电性导通连接。

7.一种LED芯片封装结构的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：

在衬底上依次外延生长N型半导体层、发光层及P型半导体层，形成LED外延结构；

在LED外延结构上形成MESA线，并采用MESA光刻形成N电极区域；

对N电极区域刻蚀形成N台阶，N台阶上形成有支撑平台；

在支撑平台上方和侧边形成于N型半导体层电性连接的N电极，所述N电极的上边缘与MESA线之间的距离大于N电极的下边缘与MESA线之间的距离；

在P型半导体层上形成于P型半导体层电性连接的P电极。

8.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，“对N电极区域刻蚀形成N台阶，N台阶上形成有支撑平台”具体包括：

对N电极区域全部刻蚀至N型半导体层，而后在N型半导体层上外延生长支撑平台。

9.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，“对N电极区域刻蚀形成N台阶，N台阶上形成有支撑平台”具体包括：

采用掩膜对N电极区域部分刻蚀至N型半导体层，保留N电极区域中间的部分外延层，形成支撑平台。

10.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述N台阶通过ICP刻蚀形成。