[发明专利]用于热电IR检测器的基于MEMS的晶片级封装体

权利要求书

1.一种晶片级热传感器封装体，包括：

热电堆叠置体，所述热电堆叠置体包括：

衬底；

电介质膜，所述电介质膜形成在所述衬底的第一侧上；

第一热电层，所述第一热电层形成在所述电介质膜上；

第一层间电介质，所述第一层间电介质形成在所述第一热电层和所述 电介质膜上；

第二热电层，所述第二热电层形成在所述第一层间电介质上；

第二层间电介质，所述第二层间电介质形成在所述第二热电层和所述 第一层间电介质上；

金属连接组件，所述金属连接组件与所述第一热电层和所述第二热电 层电耦合；

钝化层，所述钝化层设置在所述金属连接组件和所述第二层间电介质 上，其中，所述钝化层包括沟槽或孔的至少其中之一，并且其中，所述衬 底包括邻近所述至少一个沟槽或孔的腔室；以及

接合焊盘，所述接合焊盘设置在所述钝化层上并电耦合到所述金属连 接组件；以及

帽式晶片组件，所述帽式晶片组件耦合到所述热电堆叠置体，所述帽 式晶片组件包括具有腔室的晶片，所述腔室形成于所述晶片的一侧上并被 配置为邻近所述热电堆叠置体。

2.根据权利要求1所述的晶片级热传感器，其中，所述衬底包括硅晶 片。

3.根据权利要求1所述的晶片级热传感器，其中，所述衬底包括牺牲 层，所述牺牲层被设置为邻近所述电介质膜。

4.根据权利要求1所述的晶片级热传感器，其中，所述第一热电层或 所述第二热电层中的至少一个热电层包括n掺杂的硅、p掺杂的硅、或者金 属的至少其中之一。

5.根据权利要求1所述的晶片级热传感器，其中，所述第一热电层和 所述第二热电层形成热电堆。

6.根据权利要求1所述的晶片级热传感器，其中，所述钝化层包括吸 收叠置体。

7.根据权利要求1所述的晶片级热传感器，其中，所述帽式晶片组件 包括位于所述晶片的至少一个表面上的金属层。

8.根据权利要求7所述的晶片级热传感器，其中，所述金属层包括铝、 金、镍、钽、或者钛的至少其中之一。

9.根据权利要求1所述的晶片级热传感器，其中，所述帽式晶片组件 包括位于所述晶片的至少一个表面上的光学滤波器。

10.根据权利要求9所述的晶片级热传感器，其中，所述光学滤波器 包括锗、硅、硫化锌、硒化锌、或者氟化钇的至少其中之一。

11.根据权利要求1所述的晶片级热传感器，其中，所述帽式晶片组 件包括硅晶片。

12.根据权利要求1所述的晶片级热传感器，其中，所述帽式晶片组 件包括金属叠置体，所述金属叠置体被配置为将所述帽式晶片组件接合到 所述热电堆叠置体。

13.根据权利要求1所述的晶片级热传感器，其中，所述帽式晶片组 件包括透镜。

14.根据权利要求1所述的晶片级热传感器，还包括第二帽式晶片， 所述第二帽式晶片耦合到所述热电堆叠置体和所述衬底，其中，所述第二 帽式晶片与所述衬底的远离所述热电堆叠置体的一侧耦合。

15.根据权利要求1所述的晶片级热传感器，还包括：

印刷电路板，所述印刷电路板耦合到所述晶片级热传感器。