[发明专利]一种液晶介质以及包含该液晶介质的液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及用于液晶介质中的化合物和包含所述液晶介质的液晶显示器，特别是通过有源矩阵寻址的显示器，特别是基于VA或ECB效应的液晶显示器用负介电各向异性的液晶介质。

背景技术

目前TFT-LCD已经广泛地应用于工业领域和家庭消费领域，几乎完全替代了传统的CRT显示器市场。根据液晶显示方式的不同，液晶显示元件可以分为扭曲向列相(TN)模式、超扭曲向列相(STN)模式、共面(IPS)模式、垂直配向(VA)模式等多种模式。

当前的液晶显示元件多为扭曲向列相(TN)模式，但其存在对比度低、视野角窄的缺点，而垂直配向(VA)模式的显示以其宽视野角、高对比度和无须摩擦配向等优势，已经得到广泛应用，并成为大尺寸TV用TFT-LCD的常见显示模式，另外，VA模式显示的对比度对液晶的双折射率、液晶层的厚度和入射光的波长依赖度较小，因此，VA模式成为了现在极具前景的液晶显示技术。

对于基于VA效应的有源矩阵寻址显示器件所用的液晶材料，要求具有①低的驱动电压：液晶材料具有适当的负介电各向异性；②快速响应：液晶材料具有适当的光学各向异性；③高可靠性：高的电荷保持率，高的比电阻值，优良的耐高温稳定性及对UV光或常规的背光照明来照射的稳定性有严格要求等的特点。但是，当我们的液晶材料达到以上显示器所要求的基本特性(低驱动电压、快速响应)时，其可靠性的问题便会一一曝露出来，尤其是UV光照的稳定性变差。这主要是由于负介电各向异性的化合物分子结构中某些基团易与无机离子结合，使得离子含量变大；负介电各向异性的化合物在合成过程中往往需要大量的催化偶联反应，易有痕量的金属催化剂残留等的原因。于是，解决此类液晶介质的可靠性就成了棘手的问题，换言之，也就要求我们发明或提出一种或多种改善液晶介质稳定性的化合物，来解决液晶介质的可靠性问题。

发明内容

本发明需要解决的技术问题是提供一种光学各向异性在0.080～0.150范围内、具有合适高的负介电各向异性、较快的响应时间的液晶介质，该液晶介质克服了现有液晶介质中存在的耐高温性能不稳定、抗UV光性能不稳定等缺陷。

为解决上述可靠性的技术问题，本发明所采取的技术方案是：

一种液晶介质，所述液晶介质包含下列各组份的化合物，其中第一组份必须含有一种或多种通式Ⅰ1所示的化合物，第一组份还包含一种或包含多种或者不包含通式Ⅰ2～通式Ⅰ5所示的化合物，第二组份包含一种或多种通式Ⅱ所示的、介电各向异性为负的液晶化合物，第三组份包含一种或多种介电各向异性为负且绝对值大于3的液晶化合物；

其中，

R₁、R₂、R₃选自碳原子数为1～20的直链烷基的其中一种；

R₁、R₂优选为碳原子数为1～10的直链烷基的其中一种；特别优选为碳原子数为2～7的直链烷基的其中一种；

R₄选自环丙基、环丁基、环戊基、碳原子数为1～7的直链烷基、碳原子数为1～7的直链烷氧基、碳原子数为2～7的直链烯基的其中一种；

R₅选自碳原子数为1～7的直链烷基、碳原子数为1～7的直链烷氧基的其中一种；

L₁、L₂分别表示H、卤素、碳原子数为1～7的直链烷基、碳原子数为1～7的直链烷氧基的其中一种在苯环任意取代位置上；优选为H、卤素、碳原子数为1～7的直链烷基的其中一种在苯环任意取代位置上；特别优选为H、F、甲基的其中一种在苯环任意取代位置上；

a选自1～16的任意整数，优选为1～10的整数，特别优选为2、4、6、8、10；

b、c、e选自1～5的任意整数；

d、f选自0、1、2，优选为0或1；

选自的其中一种。

本发明技术方案的进一步改进在于：所述第三组份至少包含两种通式Ⅲ所示的液晶化合物，还包含或不包含通式Ⅳ所示的液晶化合物，

其中，

R₇、R₉选自碳原子数为1～7的直链烷基、碳原子数为1～7的直链烷氧基的其中一种；