[发明专利]用电信息采集系统的模组化终端在审

专利信息
申请号: 201510886118.3 申请日: 2015-12-04
公开(公告)号: CN105374181A 公开(公告)日: 2016-03-02
发明(设计)人: 刘宣;阿辽沙·叶;唐悦;徐英辉;颜庭乔 申请(专利权)人: 中国电力科学研究院;国家电网公司
主分类号: G08C17/00 分类号: G08C17/00;G08C19/16
代理公司: 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 代理人: 徐国文
地址: 100192 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 用电 信息 采集 系统 模组化 终端
【权利要求书】:

1.一种用电信息采集系统的模组化终端,包括:处理显示模块(1)、电源交采模块(2)、本地通信模块(3)、远程通信模块(4)、遥控模块(5)、RS485模块(6)、遥信脉冲模块(7)、本地接口模块(8)和后备电源模块(9);其特征在于:处理显示模块(1)的信号输出/输入端均分别与电源交采模块(2)、本地通信模块(3)、远程通信模块(4)、遥控模块(5)、RS485模块(6)、遥信脉冲模块(7)、本地接口模块(8)、后备电源模块(9)的信号输入/输出端对应相接,电源交采模块(2)的信号输出/输入端均分别与处理显示模块(1)、本地通信模块(3)、本地接口模块(8)的信号输入/输出端对应相接。

2.根据权利要求1所述的模组化终端,其特征在于:所述模组化终端还包括各个模块间相互支撑的结构支架(10)。

3.根据权利要求1所述的模组化终端,其特征在于:所述处理显示模块(1)通过模块控制电路对电源交采模块(2)、本地通信模块(3)、远程通信模块(4)、遥控模块(5)、RS485模块(6)、遥信脉冲模块(7)进行控制。

4.根据权利要求3所述的模组化终端,其特征在于:所述模块控制电路结构包括:晶体二极管V1、晶体三极管V2、P沟道MOS管V3和晶体二极管V4;晶体三极管V2的集电极通过电阻R4接P沟道MOS管V3的栅极;

晶体二极管V1负极通过电阻R1连接晶体三极管V2的基极,晶体二极管V1负极通过电容C1接GND;

晶体三极管V2的基极通过电阻R2接GND,晶体三极管V2的发射极接GND,晶体三极管V2的集电极通过电阻R4和电阻R3分别接P沟道MOS管V3的栅极和漏极,晶体三极管V2的漏极与衬底连接,并且漏极连接处理显示模块1的电源VCC;晶体三极管V2的漏极连接晶体二极管V4的负极,晶体二极管V4的正极连接晶体三极管V2的源极;

使能信号EN置高电平,二极管V1正向导通后,触发晶体三极管V2导通,此时P沟道MOS管V3则相当于一个栅极接地型开关电路,处理显示模块(1)的电源VCC通过P沟道MOS管V3供电给本地通信模块(3)、远程通信模块(4)、遥控模块(5)、RS485模块(6)、遥信脉冲模块(7)的电源VDD;

使能信号EN为非高电平时,二极管V1不导通,此时P沟道MOS管V3亦不导通,处理显示模块(1)的电源VCC与本地通信模块(3)、远程通信模块(4)、遥控模块(5)、RS485模块(6)、遥信脉冲模块(7)的电源VDD断开。

5.根据权利要求1所述的模组化终端,其特征在于:处理显示模块(1)分别与本地通信模块(3)、远程通信模块(4)、遥控模块(5)、RS485模块(6)和遥信脉冲模块(7)间的接口定义为:电源、通信口发送TXD、通信口接收RXD和电源地。

6.根据权利要求1所述的模组化终端,其特征在于:所述后备电源模块(9)在模组化终端失去正常电源供应后,继续为模组化终端供电,维持模组化终端的正常运行。

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