[发明专利]探测装置和探测方法有效
申请号: | 201510886162.4 | 申请日: | 2015-12-04 |
公开(公告)号: | CN105679689B | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 田村宗明;赤池伸二;齐木健太;舆水一彦;冈崎伊佐央;川月光也;津田清 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社;株式会社清和光学制作所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 探测 装置 方法 | ||
1.一种探测装置,其中,
该探测装置包括:
载物台,其用于保持被检查基板并能够在水平方向和铅垂方向上移动;
第1拍摄装置,其用于对与形成于所述被检查基板的表面的器件的电极相接触的探针进行拍摄;
第1拍摄光学部,其具有用于利用所述第1拍摄装置进行拍摄的光学系统;
第2拍摄装置,其在所述被检查基板由所述载物台保持着的状态下对所述电极进行拍摄;
第2拍摄光学部,其具有用于利用所述第2拍摄装置进行拍摄的光学系统;
投影光学部,其具有用于将光学式的靶标同时投影于所述第1拍摄装置的成像部和所述第2拍摄装置的成像部的光学系统,该光学式的靶标应用于所述第1拍摄装置与所述第2拍摄装置之间的对位;以及
用于生成所述靶标的靶,
所述投影光学部使以下成像位置形成在相对于所述第1拍摄装置的成像部光学共轭的位置,该成像位置为使作为所述靶的像的所述靶标成像的位置,
将所述靶、所述成像位置、以及所述第2拍摄装置的成像部配置在互相光学共轭的位置,并将所述靶标同时投影于所述第1拍摄装置的成像部和所述第2拍摄装置的成像部,
在所述第1拍摄光学部与所述第2拍摄光学部之间形成所述靶标的成像位置。
2.根据权利要求1所述的探测装置,其中,
所述投影光学部包括:
投影用光源,其用于向所述靶照射光;
分割部件,其用于将通过了所述靶后的、来自所述投影用光源的光分割;以及
会聚部件,其用于使被所述分割部件分割后的光线会聚,以便使所述靶标形成于所述第1拍摄装置的所述成像部。
3.根据权利要求2所述的探测装置,其中,
所述会聚部件为凹面反射镜。
4.一种探测方法,其是使用权利要求1至3中任一项所述的探测装置的探测方法,该探测方法的特征在于,
该探测方法包括以下步骤:
将所述靶标同时投影于所述第1拍摄装置的成像部和所述第2拍摄装置的成像部,根据其图像数据对所述第1拍摄装置和所述第2拍摄装置进行对位;
利用所述第2拍摄装置对所述被检查基板的多处的所述电极进行拍摄,并存储此时的所述电极的位置坐标;
利用所述第1拍摄装置对所述探针进行拍摄,并存储此时的所述探针的位置坐标;以及
根据利用以上步骤获得的位置坐标使所述探针与所述电极相接触,以对形成于所述被检查基板的表面的器件的电特性进行检查。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造