[发明专利]一种二硫化钼/半导体异质结光电探测器及其制造方法

权利要求书

1.一种二硫化钼/半导体异质结光电探测器，其特征在于自下而上依次有背电极层（1）、半导体衬底层（2）、二硫化钼层（3）,在二硫化钼层上设有彼此分隔的两块表面电极（4），在两块表面电极（4）之间的二硫化钼层上还具有量子点层（5）。

2.根据权利要求1所述的二硫化钼/半导体异质结光电探测器，其特征在于，所述的半导体衬底层为硅、锗、砷化镓、磷化铟、氮化镓、氧化锌、磷化锌、磷化镓、砷化铟、硒化镉或碲化镉，掺杂类型为p型掺杂或n型掺杂。

3.根据权利要求1所述的二硫化钼/半导体异质结光电探测器，其特征在于，所述的量子点层为金量子点、银量子点、镍量子点、钛量子点、铜量子点、硅量子点、锗量子点、碲化镉量子点、硒化镉量子点、硫化铅量子点、硒化铅量子点、硫化锌量子点或硒化锌量子点。

4.根据权利要求1所述的二硫化钼/半导体异质结光电探测器，其特征在于，所述的背电极层为金、钯、银、钛、铬、镍的一种或几种的复合电极。

5.根据权利要求1所述的二硫化钼/半导体异质结光电探测器，其特征在于，所述的表面电极为金、钯、银、钛、铬、镍的一种或几种的复合电极。

6.制备如权利要求1所述的二硫化钼/半导体异质结光电探测器，其特征在于包括以下步骤：

1）在洁净的半导体衬底一面制作背面电极；

2）将二硫化钼薄膜转移至上述半导体衬底片的另一面上，其转移方法为：在生长于原始衬底上的二硫化钼表面制作支撑层，再将支撑层连同二硫化钼层一起从其原始衬底上剥离下来，转移至半导体衬底片上，使二硫化钼层与半导体衬底接触，去除支撑层；

3）在二硫化钼层上制作彼此分隔开的表面电极；

4）在表面电极之间的二硫化钼层上通过旋涂法、喷涂法、蒸镀或者化学镀制作量子点层。