[发明专利]一种IBC电池制造方法

权利要求书

1.一种IBC电池制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）采用碱腐蚀的方法在硅片的正面，即受光面制作绒面陷光结构；

2）采用离子注入的方法在硅片的背面制备出发射极和背场，离子束通过扫描的方式在硅片的特定区域有选择地进行掺杂，最终形成指状结构的发射极和背场；

3）采用PECVD的方法在硅片的正面和背面淀积钝化层或减反射膜；

4）采用丝网印刷的方法在硅片的背面制备电极。

2.依据权利要求1所述的IBC电池制造方法，其特征在于，所述步骤2）中离子束的直径小于发射极和背场的宽度，离子束采用“S”型路径来回扫描，最终形成指状结构的发射极和背场。

3.依据权利要求1所述的IBC电池制造方法，其特征在于，采用硼元素为制备P型发射极的离子源。

4.依据权利要求1所述的IBC电池制造方法，其特征在于，采用磷元素为制备N型背场的离子源。

5.依据权利要求1所述的IBC电池制造方法，其特征在于，所述钝化层的材料为二氧化硅或氮化硅。

6.依据权利要求1所述的IBC电池制造方法，其特征在于，所述减反射膜的材料为一氧化硅或氮化硅。