[发明专利]鳍状结构上的横向扩散晶体管在审
| 申请号： | 201510888048.5 | 申请日： | 2015-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN106847914A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 翁文寅;吴奕廷;黄正同;林育名;王荏滺 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 横向 扩散 晶体管 | ||
1.一种横向扩散晶体管，包含：
基底；
鳍状结构，接触并凸出于该基底；
第一栅极电极，跨过该鳍状结构；
第一源极，设置于该鳍状结构中并且位于该第一栅极电极的一侧；
漏极，设置于该鳍状结构中并且位于该第一栅极电极的另一侧；以及
第一栅极介电层，位于该鳍状结构和该第一栅极电极之间，其中该第一栅极介电层的厚度由该第一源极向该漏极的方向增厚。
2.如权利要求1所述的横向扩散晶体管，其中该第一栅极介电层的厚度变化具有一阶梯轮廓。
3.如权利要求2所述的横向扩散晶体管，其中该第一栅极介电层的厚度包含一第一厚度和一第二厚度，第一厚度大于第二厚度。
4.如权利要求3所述的横向扩散晶体管，其中该第一厚度具有一第一宽度，该第一宽度的延伸方向与该源极向该漏极的方向相同，并且可通过调控该第一宽度可调控该位于横向扩散晶体管的操作参数。
5.如权利要求3所述的横向扩散晶体管，其中具有该第一厚度的该第一栅极介电层和具有该第二厚度的该第一栅极介电层为不同材料。
6.如权利要求3所述的横向扩散晶体管，其中具有该第一厚度的该第一栅极介电层和具有该第二厚度的该第一栅极介电层为相同材料。
7.如权利要求3所述的横向扩散晶体管，其中该第一栅极介电层完全重叠该第一栅极电极。
8.如权利要求1所述的横向扩散晶体管，另包含：
第二栅极电极，跨过该鳍状结构，其中该漏极设于该第二栅极电极的一侧并且位于该第一栅极电极和该第二栅极电极之间；
第二源极，设置于该鳍状结构中并且位于该第二栅极电极的另一侧；以及
第二栅极介电层，位于该鳍状结构和该第二栅极电极之间，其中该第二栅极介电层的厚度由该第二源极向该漏极方向增厚。
9.如权利要求8所述的横向扩散晶体管，其中该第一栅极电极和该第二 栅极电极共用该漏极。
10.如权利要求8所述的横向扩散晶体管，其中该第二栅极电极的延伸方向和该第一栅极电极的延伸方向相同。
11.如权利要求8所述的横向扩散晶体管，其中该第二栅极介电层的厚度变化具有一阶梯轮廓。
12.如权利要求8所述的横向扩散晶体管，其中该第二栅极介电层的厚度包含一第三厚度和一第四厚度，第三厚度大于第四厚度。
13.如权利要求8所述的横向扩散晶体管，其中具有该第三厚度的该第一栅极介电层和具有该第四厚度的该第一栅极介电层为不同材料。
14.如权利要求8所述的横向扩散晶体管，其中具有该第三厚度的该第二栅极介电层和具有该第四厚度的该第二栅极介电层为相同材料。
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