[发明专利]降低馈通电压的GOA电路在审

专利信息
申请号: 201510890334.5 申请日: 2015-12-04
公开(公告)号: CN105469754A 公开(公告)日: 2016-04-06
发明(设计)人: 龚强 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36;G02F1/1345
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 降低 通电 goa 电路
【权利要求书】:

1.一种降低馈通电压的GOA电路,其特征在于,包括级联的多个GOA单元,每一级GOA单元均包括:正反向扫描控制单元(100)、上拉输出单元(200)、第一节点下拉单元(300)、下拉输出单元(400)、及第三薄膜晶体管(T3);

设n为正整数,除第一级与最后一级GOA单元以外,在第n级GOA单元中:

所述正反向扫描控制单元(100)包括:第一薄膜晶体管(T1),所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于正向扫描控制信号(U2D),源极电性连接于上一级第n-1级GOA单元的输出端(G(n-1)),漏极电性连接于第三薄膜晶体管(T3)的源极;以及第二薄膜晶体管(T2),所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于反向扫描控制信号(D2U),源极电性连接于下一级第n+1级GOA单元的输出端(G(n+1)),漏极电性连接于第三薄膜晶体管(T3)的源极;

所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于第M条时钟信号(CK(M)),源极电性连接于第一薄膜晶体管(T1)的漏极与第二薄膜晶体管(T2)的漏极,漏极电性连接于第四薄膜晶体管(T4)的栅极;

所述上拉输出单元(200)包括:第九薄膜晶体管(T9),所述第九薄膜晶体管(T9)的栅极电性连接于第一节点(Q(n)),源极电性连接于第M+1条时钟信号(CK(M+1)),漏极电性连接于输出端(G(n));以及第一电容(C1),所述第一电容(C1)的一端电性连接于第一节点(Q(n)),另一端电性连接于输出端(G(n));

所述下拉输出单元(400)包括:第四薄膜晶体管(T4),所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接于第三薄膜晶体管(T3)的漏极,漏极电性连接于第二节点(P(n)),源极电性连接于第M条时钟信号(CK(M));第五薄膜晶体管(T5),所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极电性连接于第M条时钟信号(CK(M)),漏极电性连接于第二节点(P(n)),源极电性连接于恒压高电位(VGH);第十薄膜晶体管(T10),所述第十薄膜晶体管(T10)的栅极电性连接于第二节点(P(n)),漏极电性连接于输出端(G(n)),源极电性连接于恒压低电位(VGL);第十一薄膜晶体管(T11),所述第十一薄膜晶体管(T11)的栅极电性连接于输出控制信号(CKF),漏极电性连接于输出端(G(n)),源极电性连接于第一电阻(R1)的一端;第一电阻(R1),所述第一电阻(R1)的另一端电性连接于恒压低电位(VGL);以及第二电容(C2),所述第二电容(C2)的一端电性连接于第二节点(P(n)),另一端电性连接于恒压低电位(VGL);

所述第一节点下拉单元(300)包括:第六薄膜晶体管(T6),所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极电性连接于第二节点(P(n)),源极电性连接于第七薄膜晶体管(T7)的漏极,漏极电性连接于恒压低电位(VGL);第七薄膜晶体管(T7),所述第七薄膜晶体管(T7)的栅极电性连接于第M+1条时钟信号(CK(M+1)),源极电性连接于第三薄膜晶体管(T3)的漏极,漏极电性连接于第六薄膜晶体管(T6)的源极;以及第八薄膜晶体管(T8),所述第八薄膜晶体管(T8)的栅极电性连接于恒压高电位(VGH),源极电性连接于第三薄膜晶体管(T3)的漏极,漏极电性连接于第一节点(Q(n));

所述输出控制信号(CKF)为脉冲信号,其周期是时钟信号周期的1/2;

所述输出端(G(n))输出的信号波形具有两个下降沿。

2.如权利要求1所述的降低馈通电压的GOA电路,其特征在于,在第一级GOA单元中,所述第一薄膜晶体管(T1)的源极电性连接于电路起始信号(STV)。

3.如权利要求1所述的降低馈通电压的GOA电路,其特征在于,在最后一级GOA单元中,所述第二薄膜晶体管(T2)的源极电性连接于电路起始信号(STV)。

4.如权利要求1所述的降低馈通电压的GOA电路,其特征在于,当正向扫描控制信号(U2D)提供高电位,反向扫描控制信号(D2U)提供低电位时,所述GOA电路进行正向扫描;当正向扫描控制信号(U2D)提供低电位,反向扫描控制信号(D2U)提供高电位时,所述GOA电路进行反向扫描。

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