[发明专利]一种InGaN基蓝光探测器及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及探测器的技术领域，特别涉及一种InGaN基蓝光探测器及其制备方法。

背景技术

可见光通信是照明与无线光通信交叉的前沿技术，既能照明又能实现绿色通信，还能缓解无线通信频谱资源短缺的困境，势将引起照明产业的深刻变革。实现无线光电通信在大容量移动通信、国防安全、智慧城市等国家重大需求应用上的产业化，推进无线光通信标准化，在激烈的国际竞争中争得话语权，抢占在国际新一代无线通信技术发展与应用中的学术和标准制高点。目前，用于可见光通信的探测器在灵敏度、响应速率及带宽存在明显的缺陷，作为信号接收端，传统的光电探测器已经难以满足技术提升的需要。因此，研究具有高速接收能力的探测器对保护民族可见光通信具有重要的战略意义。

现有的光探测器以Si基雪崩二极管探测器为主，其发展较早、制备工艺成熟且可探测较宽波段内的电磁波，基本满足可见光通信领域技术需求。然而Si基雪崩二极管是由表面或者纵向的PIN结构制备，其内部电流是由非平衡载流子的积累产生的电荷存储效应造成的，从本质上就存在响应时间长的缺点；其次由于Si本身的禁带宽度较窄，很难对蓝光波段的可见光进行有效的吸收；另外Si作为半导体材料对电磁波的吸收宽度很广，探测器识别和编译的调制光会有很大的噪声，为了避免这种噪声往往需要加入一层滤波片来过滤掉长波段的电磁波。因此，迫切需要设计一种针对蓝光波段的可见光探测器。

发明内容

为了克服现有技术的上述缺点与不足，本发明的目的在于一种InGaN基蓝光探测器，提高了探测器在蓝光波段峰值的外量子效率。

本发明的另一目的在于提供上述InGaN基蓝光探测器的制备方法。

本发明的目的通过以下技术方案实现：

一种InGaN基蓝光探测器，包括衬底层，所述衬底层之上依次设有AlN层、非掺杂GaN层、Si掺杂的n-InGaN层；所述Si掺杂的n-InGaN层的一侧表面上覆盖有i-InGaN层，另一侧表面覆盖有第一Au层；所述i-InGaN层的一部分表面覆盖有SiO₂层，另一部分表面覆盖有第二Au层；所述SiO₂层的上方设有第三Au层，所述第三Au层覆盖第二Au层的部分或全部表面；所述衬底层的下表面覆盖有Ag层。

所述Ag层的厚度为1～3微米；所述衬底层的厚度为320～430微米；所述AlN层的厚度为100～200纳米；所述非掺杂GaN层的厚度为1～3微米；所述Si掺杂的n-InGaN层的厚度为1～3微米；所述i-InGaN层的厚度为1～3微米；所述第一Au层的厚度为1～3微米；所述第二Au层的厚度为10～50纳米；所述第三Au层的厚度为1～3微米；所述SiO₂层的厚度与第二Au层的厚度相同。

所述衬底层为蓝宝石、Si、LiGaO₃或La_0.3Sr_1.7AlTaO₆衬底。

所述的InGaN基蓝光探测器的制备方法，包括以下步骤：

(1)在500～600℃的温度下，使用磁控溅射或者蒸镀的方法，在衬底层下表面镀一层银层，作为探测器镜子层；

(2)使用金属有机化合物化学气相沉积法在衬底层之上依次生长AlN层、非掺杂GaN层、Si掺杂的n-InGaN层、i-InGaN层；

其中，AlN层的生长温度为1000～1100℃；

非掺杂GaN层的生长温度为1050～1150℃，N源与Ga源比例为1000～2000；

Si掺杂的n-InGaN层的生长温度为950～1050℃，N源与Ga源比例为5000～10000；

i-InGaN层的生长温度为950～1050℃；

(3)使用掩膜版遮住i-InGaN层的左侧，在500～600℃的温度下，使用脉冲激光沉积方法在i-InGaN层上沉积第二Au层；随后，使用掩膜版遮住已沉积的第二Au层，在800～900℃的温度下，使用等离子体增强化学气相沉积方法在i-InGaN层上沉积与第二Au同等厚度的SiO₂层，用做绝缘保护；

(4)使用掩膜版遮住第二Au层的右侧，在500～600℃的温度下，使用磁控溅射或蒸镀的方法，在SiO₂层和第二Au层的表面生长第三Au层；