[发明专利]改善气流的喷头支撑结构

说明书

本发明公开了改善气流的喷头支撑结构。本发明的实施例大致上提供用以支撑工艺腔室中的气体分配喷头的设备与方法。在一个实施例中，提供一种用于真空腔室的气体分配喷头。所述气体分配喷头包含：主体，所述主体具有第一侧与第二侧以及多个气体通道，所述第二侧与所述第一侧相对，所述多个气体通道形成为穿过所述主体，所述气体通道包含形成在所述第一侧中的第一孔洞，所述第一孔洞通过限缩孔口流体地耦接到第二孔洞，所述第二孔洞形成在所述第二侧中；及悬置特征结构，所述悬置特征结构形成在所述气体通道中至少一个的所述第一孔洞中。

本申请是申请日为2011年7月8日、申请号为201180026734.1、名称为“改善气流的喷头支撑结构”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明的实施例大体上关于支撑在等离子体腔室内的气体分配喷头。更具体地，本发明关于经由气体分配喷头向腔室供应气体。

背景技术

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是一种将工艺气体经由气体分配喷头引导到工艺腔室内的沉积方法。喷头受到电性偏压，以将工艺气体点燃成等离子体。座落在喷头对面的基座电接地且作用成阳极。当工艺气体流动到喷头与基座之间的处理空间内时，喷头将工艺气体分散。

近来，对于将材料沉积在大面积基板上，PECVD已经变得广受欢迎。大面积基板可具有大于约一平方米的表面积。大面积基板可用于平板显示器(FPD)、太阳能面板、有机发光显示器(OLED)与其它应用。这些工艺需要使大面积基板经受300℃至400℃或更高数量级的温度，并且需要在沉积期间将大面积基板维持在相对于喷头的固定位置，以确保所沉积的层的均匀性。

大致上，喷头是以定距离间隔关系被支撑在大面积基板上方的穿孔板，从而适于分散工艺气体，并且喷头通常具有与待处理的基板实质上相等的面积。喷头一般由铝制成，并且喷头在PECVD工艺期间在耐受温度的同时经受膨胀与收缩。喷头一般被支撑在边缘与中心的周围，以维持基板与喷头之间的处理空间。然而，典型的中心支撑机制会影响通过喷头的气流。当气流在沉积期间没有经由喷头被足够地分配时，所述工艺可能无法在基板上产生均匀的沉积，这会导致不能使用的大面积基板。

所以，需要一种用以支撑气体分配喷头的设备与方法，所述设备与方法维持基板与气体分配喷头之间的处理空间且不会干扰通过气体分配喷头的气流。

发明内容

本发明大体上关于一种用以支撑真空腔室中的气体分配喷头的设备与方法。在一个实施例中，提供用于真空腔室的气体分配喷头。所述气体分配喷头包含：主体，所述主体具有第一侧、第二侧以及多个气体通道，所述第二侧与所述第一侧相对，所述多个气体通道形成为穿过所述主体，所述气体通道包含形成在所述第一侧中的第一孔洞，所述第一孔洞通过限缩孔口流体地耦接到第二孔洞，所述第二孔洞形成在所述第二侧中；及悬置特征结构，所述悬置特征结构形成在所述气体通道中至少一个的所述第一孔洞中。

在另一个实施例中，提供一种用于真空腔室的气体分配喷头。所述气体分配喷头包含：主体，所述主体具有第一侧与第二侧，所述第一侧与背板相对，所述第二侧与所述第一侧相对，所述主体具有形成在所述第一侧与所述第二侧之间的多个气体通道，所述多个气体通道中的每一个具有第一孔洞，所述第一孔洞形成在所述第一侧中，所述第一孔洞通过限缩孔口流体地耦接到第二孔洞，所述第二孔洞形成在所述第二侧中；悬置配件，所述悬置配件设置在所述多个气体通道的至少一个的所述第一孔洞中，而形成堵塞的气体通道；及替代气体通道，所述替代气体通道与所述背板和所述气体分配喷头的所述第一侧之间的容积流体连通，以向所述堵塞的气体通道提供气流。