[发明专利]使用电泳沉积形成制品的方法及相关的制品

权利要求书

1.一种用于形成制品的方法，包括：

(a)将导电涂层设置在基底上；

(b)通过以下将叠层设置在所述导电涂层上：

(i)通过电泳沉积来设置第一阻隔涂层；

(ii)热处理所述第一阻隔涂层；

(iii)将导电层设置在所述第一阻隔涂层上；以及

(iv)可选地重复步骤(i)到(iii)；

(c)通过电泳沉积将第二阻隔涂层设置在所述叠层中的最外的导电层上；以及

(d)热处理所述第二阻隔涂层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一阻隔涂层和所述第二阻隔涂层在所述热处理步骤期间经历至少部分稠化。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电层是通过无极电镀、喷涂、浸渍涂布、物理气相沉积、化学气相沉积或它们的组合来设置的。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电涂层包括金属、金属间化合物、非金属、碳、传导聚合物或它们的组合。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述导电层包括金、银、镍、传导聚合物、碳、钯、铂、铜、铁、钴、硼或它们的组合。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述导电层包括无极电镀的金、铂、钯、铜、镍、钴、铁、硼或它们的组合。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一阻隔涂层包括稀土硅酸盐。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一阻隔涂层包括选自二硅酸镱、二硅酸钇或它们的组合构成的集合的稀土二硅酸盐。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二阻隔涂层包括稀土硅酸盐。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二阻隔涂层包括选自单硅酸钇、单硅酸镱和它们的组合构成的集合的稀土单硅酸盐。