[发明专利]一种晶圆级封装的LED器件结构

说明书

本发明提供一种晶圆级封装的LED器件结构，所述LED器件结构至少包括：荧光粉基板，所述荧光粉基板包括透明基板和形成于所述透明基板上的荧光粉胶体；形成于所述荧光粉基板上的倒装结构发光二极管；覆盖于所述荧光粉胶体和倒装结构发光二极管的侧壁表面的第一反射镜。所述荧光粉基板还包括形成在所述荧光粉胶体表面的隔离基板。本发明中所述器件的侧壁具有反射镜结构，该反射镜将芯片及荧光粉胶体的侧壁覆盖，防止芯片发出的光从芯片的侧壁泄露，再结合倒装结构发光二极管中P型半导体导电层表面的反射镜，使芯片的出射光完全从暴露出的N型半导体层表面出射，进入透明基板之间的荧光粉胶体，激发荧光粉，更好的提高荧光粉的激发效率，提高器件的光效。

技术领域

本发明涉及LED技术领域，特别是涉及一种晶圆级封装的LED器件结构。

背景技术

发光二极管具有体积小、效率高和寿命长等优点,在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用。尤其是利用大功率发光二极管可能实现半导体固态照明，引起人类照明史的革命,从而逐渐成为目前电子学领域的研究热点。LED的光提取效率是指出射到器件外可供利用的光子与外延片的有源区由电子空穴复合所产生的光子的比例。在传统LED器件中，由于衬底吸收、电极阻挡、出光面的全反射等因素的存在，光提取效率通常不到10％，绝大部分光子被限制在器件内部无法出射而转变成热，成为影响器件可靠性的不良因素。为提高光提取效率，使得器件体内产生的光子更多地发射到体外，并改善器件内部热特性，经过多年的研究和实践，人们已经提出了多种光提取效率提高的方法，比如电流分布与电流扩展结构、芯片形状几何化结构、表面微结构等。

通常LED的芯片结构为在蓝宝石(Al₂O₃)等衬底上依次外延了N型半导体层、有源层、P型半导体层的构造。另外，在P型半导体层上配置有P电极，在N型半导体层上配置有N电极。最终的芯片可以是正装结构、倒装结构、垂直结构等。目前较为常用的是倒装结构的LED器件，出光面为蓝宝石生长衬底，但是蓝宝石生长衬底的透光率(300nm～700nm)小于80％，很大一部分光被蓝宝石生长衬底吸收，并且蓝宝石衬底的导热性也较差，散热不好，因此LED衬底材料需要改善。另外，现有的LED结构的蓝光侧漏也较为严重，导致出光效率降低。

因此，如何突破现有技术进一步提高芯片良品率、提高芯片的散热能力、提高出光率，仍然是本领域技术人员亟待解决的技术课题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种晶圆级封装的LED器件结构，用于解决现有技术中LED器件结构蓝光侧漏、散热差、出光效率低等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种晶圆级封装的LED器件结构，所述LED器件结构至少包括：

荧光粉基板，所述荧光粉基板包括透明基板和形成于所述透明基板表面的荧光粉胶体；

倒装结构发光二极管，形成于所述荧光粉基板上；

第一反射镜，覆盖于所述荧光粉胶体和倒装结构发光二极管的侧壁表面。

作为本发明晶圆级封装的LED器件结构的一种优化的方案，所述荧光粉基板还包括在所述荧光粉胶体表面形成的隔离基板。

作为本发明晶圆级封装的LED器件结构的一种优化的方案，所述透明基板的厚度范围为10～100μm，所述隔离基板的厚度范围为10～30μm。作为本发明晶圆级封装的LED器件结构的一种优化的方案，所述透明基板和隔离基板的透光率在92％以上。

作为本发明晶圆级封装的LED器件结构的一种优化的方案，所述第一反射镜覆盖于所述荧光粉胶体、隔离基板以及倒装结构发光二极管的侧壁表面。

作为本发明晶圆级封装的LED器件结构的一种优化的方案，所述倒装结构发光二极管通过键合层键合于所述荧光粉基板上。