[发明专利]提高鳍式场效应管性能的方法

权利要求书

1.一种提高鳍式场效应管性能的方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面形成有分立的鳍部，所述衬底表面还形成有隔离层，所述隔离层覆盖鳍部部分侧壁表面，且所述隔离层顶部低于鳍部顶部，其中，高于所述隔离层顶部的鳍部包括第一部分鳍部以及位于第一部分鳍部顶部表面的第二部分鳍部；

对所述第一部分鳍部和第二部分鳍部进行非晶化离子注入，在所述第一部分鳍部侧壁表面形成第一非晶化层，在所述第二部分鳍部顶部表面和侧壁表面形成第二非晶化层，且第二非晶化层的厚度大于第一非晶化层的厚度；

在进行所述非晶化离子注入之后，对所述第一部分鳍部和第二部分鳍部进行氧化处理，在所述第二部分鳍部的顶部表面和侧壁表面、以及第一部分鳍部侧壁表面形成氧化层，所述第二非晶化层与第一非晶化层之间的厚度差适于抵消拐角应力对第二部分鳍部氧化速率造成的影响。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二部分鳍部的厚度为1纳米至5纳米。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一非晶化层的材料为非晶硅；所述第二非晶化层的材料为非晶硅。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用锗离子、碳离子、硅离子或氟离子中的一种或多种，进行所述非晶化离子注入。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非晶化离子注入包括第一次非晶化离子注入和第二次非晶化离子注入，其中，所述第一非晶化离子注入和第二非晶化离子注入分别对鳍部两相对的侧壁进行离子注入。

6.如权利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述非晶化离子注入的注入角度为3度至20度。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用硅离子进行所述非晶化离子注入，其中，注入能量为1kev至4kev，注入剂量为1E14atom/cm²至1E16atom/cm²，注入角度为3度至20度。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用氟离子进行所述非晶化离子注入，其中，注入至第二部分鳍部顶部表面和侧壁表面的氟离子浓度大于注入至第一部分鳍部侧壁表面的氟离子浓度。

9.如权利要求1或8所述的方法，其特征在于，采用氟离子进行所述非晶化离子注入，其中，注入能量为1kev至6kev，注入剂量为1E14atom/cm²至1E16atom/cm²，注入角度为3度至20度。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行所述非晶化离子注入之前，形成覆盖所述鳍部顶部表面和侧壁表面的屏蔽层；在进行所述非晶化离子注入之后，去除所述屏蔽层。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述屏蔽层的材料为氧化硅或氮氧化硅。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化处理为干氧氧化、水汽氧化或湿氧氧化。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用原位水汽生成氧化工艺进行所述氧化处理，工艺参数包括：反应气体包括O₂、H₂和H₂O，其中，O₂流量为0.1slm至20slm，H₂流量为0.1slm至20slm，H₂O流量为0.1slm至50slm，反应腔室温度为650度至1000度，反应腔室压强为0.1托至760托，反应时长为5秒至10分。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化层的材料为氧化硅。