[发明专利]阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基材上依次形成第一金属层和绝缘层，所述第一金属层包括沿预定方向间隔排布的第一电极条和第二电极条；

在所述绝缘层上形成沿所述预定方向间隔排布的IGZO图案，所述IGZO图案位于所述第一电极条的上方；

在所述绝缘层和所述IGZO图案层上形成第二金属层，所述第二金属层形成有沿所述预定方向交错排布的第一沟道和第二沟道，所述第一沟道暴露其对应区域的所述IGZO图案，所述第二沟道暴露其对应区域的所述绝缘层且位于所述第二电极条的上方；

在所述第二沟道的对应区域形成OSC图案；

在所述绝缘层、所述第二金属层、所述IGZO图案以及所述OSC图案上形成一平坦钝化层；

其中，所述第一电极条、所述第一沟道及其对应区域的所述第二金属层和所述IGZO图案形成第一晶体管，所述第二电极条、所述第二沟道及其对应区域的所述第二金属层和所述OSC图案形成第二晶体管，且所述第一晶体管和所述第二晶体管串联形成一CMOS反相器。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电极条和所述第二电极条均为所述阵列基板的薄膜晶体管的栅极，所述第二金属层包括所述薄膜晶体管的源极和漏极，沿所述预定方向，在相邻的所述源极和所述漏极之间形成所述第一沟道和所述第二沟道，且同一所述漏极位于相邻的所述第一沟道和所述第二沟道之间。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一电极条、所述第一沟道及其对应区域的所述源极、所述漏极和所述IGZO图案形成所述第一晶体管，所述第二电极条、所述第二沟道及其对应区域的所述源极、所述漏极和所述OSC图案形成所述第二晶体管，且所述阵列基板形成奇数个首尾相连的所述CMOS反相器。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一晶体管为N沟道型MOS晶体管，所述第二晶体管为P沟道型MOS晶体管。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述衬底基材上形成所述第一金属层之后，所述方法还包括：

在所述衬底基材上形成沿所述预定方向交错排布的公共电极，每一所述公共电极位于相邻的所述第一电极条和所述第二电极条之间，所述公共电极及对应区域的所述第二金属层和所述绝缘层形成一电容。

6.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

衬底基材；

形成于所述衬底基材上的第一金属层和绝缘层，所述第一金属层包括沿预定方向间隔排布的第一电极条和第二电极条；

形成于所述绝缘层上且沿所述预定方向间隔排布的IGZO图案，所述IGZO图案位于所述第一电极条的上方；

形成于所述绝缘层和所述IGZO图案层上的第二金属层，所述第二金属层形成有沿所述预定方向交错排布的第一沟道和第二沟道，所述第一沟道暴露其对应区域的所述IGZO图案，所述第二沟道暴露其对应区域的所述绝缘层且位于所述第二电极条的上方；

形成于所述第二沟道的对应区域的OSC图案；

平坦钝化层，形成于所述绝缘层、所述第二金属层、所述IGZO图案以及所述OSC图案上；

其中，所述第一电极条、所述第一沟道及其对应区域的所述第二金属层和所述IGZO图案形成第一晶体管，所述第二电极条、所述第二沟道及其对应区域的所述第二金属层和所述OSC图案形成第二晶体管，且所述第一晶体管和所述第二晶体管串联形成一CMOS反相器。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极条和所述第二电极条均为所述阵列基板的薄膜晶体管的栅极，所述第二金属层包括所述薄膜晶体管的源极和漏极，沿所述预定方向，在相邻的所述源极和所述漏极之间形成有所述第一沟道和所述第二沟道，且同一所述漏极位于相邻的所述第一沟道和所述第二沟道之间。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极条、所述第一沟道及其对应区域的所述源极、所述漏极和所述IGZO图案形成所述第一晶体管，所述第二电极条、所述第二沟道及其对应区域的所述源极、所述漏极和所述OSC图案形成所述第二晶体管，且所述阵列基板形成有奇数个首尾相连的所述CMOS反相器。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一晶体管为N沟道型MOS晶体管，所述第二晶体管为P沟道型MOS晶体管。

10.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括形成于所述衬底基材上且沿所述预定方向交错排布的公共电极，每一所述公共电极位于相邻的所述第一电极条和所述第二电极条之间，所述公共电极及对应区域的所述第二金属层和所述绝缘侧形成一电容。