[发明专利]一种SiO2陶瓷基复合材料的钎焊方法

权利要求书

1.一种SiO₂陶瓷基复合材料的钎焊方法，其特征在于它是按照以下步骤进行的：

一、将SiO₂陶瓷基复合材料和金属材料分别用砂纸打磨，然后依次利用丙酮清洗10min～20min，得到清洗后的SiO₂陶瓷基复合材料和清洗后的金属材料；

二、用打孔机在清洗后的SiO₂陶瓷基复合材料待焊面打盲孔，其中盲孔均匀分布在SiO₂陶瓷基复合材料待焊面表面，盲孔的直径为0.5mm～5mm，盲孔深度为1mm～10mm，盲孔之间的距离为1.0mm～5.0mm，得到表面多孔结构的SiO₂陶瓷基复合材料；

三、将表面多孔结构的SiO₂陶瓷基复合材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，抽真空，通入氩气，调节氩气气体流量为5sccm～40sccm，调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为100Pa～300Pa，并在压强为100Pa～300Pa和氩气气氛下，将温度升温至150℃～500℃；

四、通入甲烷，调节氩气气体流量为5sccm～100sccm，调节甲烷气体流量为5sccm～100sccm，调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为50Pa～300Pa，然后在射频功率为200W、压强为50Pa～300Pa和温度为150℃～500℃的条件下进行等离子体处理，时间为1min～20min，得到等离子体处理后的SiO₂陶瓷基复合材料；

五、将钎料置于等离子体处理后的SiO₂陶瓷基复合材料与清洗后的金属材料的待焊接面之间，得到待焊件，将待焊件置于真空钎焊炉中，对真空钎焊炉抽真空，然后将真空钎焊炉温度升温至800℃～1300℃，并在温度为800℃～1300℃下保温5min～30min，最后以降温速度为5℃/min将温度由800℃～1300℃冷却至室温，即完成SiO₂陶瓷基复合材料的钎焊方法。

2.根据权利要求1所述的一种SiO₂陶瓷基复合材料的钎焊方法，其特征在于步骤一中所述的SiO₂陶瓷基复合材料为SiO_2f/SiO₂复合陶瓷、SiO_2f/Al₂O₃复合陶瓷、石英玻璃陶瓷或SiO₂-BN复合陶瓷。

3.根据权利要求1所述的一种SiO₂陶瓷基复合材料的钎焊方法，其特征在于步骤一中所述的金属材料为Nb、TC4钛合金或因瓦合金。

4.根据权利要求1所述的一种SiO₂陶瓷基复合材料的钎焊方法，其特征在于步骤五中所述的钎料为AgCuTi、TiNi、TiNiNb或TiNiCo。

5.根据权利要求4所述的一种SiO₂陶瓷基复合材料的钎焊方法，其特征在于所述的钎料为箔片或粉末。

6.根据权利要求1所述的一种SiO₂陶瓷基复合材料的钎焊方法，其特征在于步骤二中盲孔的直径为0.5mm～2mm，盲孔深度为1mm～5mm。

7.根据权利要求1所述的一种SiO₂陶瓷基复合材料的钎焊方法，其特征在于步骤四中然后在射频功率为200W、压强为50Pa～200Pa和温度为200℃～400℃的条件下进行等离子体处理，时间为5min～15min。

8.根据权利要求1所述的一种SiO₂陶瓷基复合材料的钎焊方法，其特征在于步骤四中所述的氩气和甲烷的气体流量比为1:1。

9.根据权利要求1所述的一种SiO₂陶瓷基复合材料的钎焊方法，其特征在于步骤五中然后将真空钎焊炉温度升温至860℃，并在温度为860℃下保温10min。

10.根据权利要求1所述的一种SiO₂陶瓷基复合材料的钎焊方法，其特征在于步骤五中然后将真空钎焊炉温度升温至860℃，并在温度为860℃下保温20min。