[发明专利]一种Nand Flash的编程方法

说明书

本发明公开了一种Nand Flash的编程方法，包括：基于字线地址确定当前编程页要施加的初始编程电压值，在设定时间内加压编程；确定当前编程页进行编程验证的起始编程状态，并启动编程验证；若编程验证失败，则以设定步进值抬升当前编程电压，之后进行编程验证；重复当前步骤，直到编程验证成功，停止编程操作。本发明能够解决现有编程方法编程速度慢，编程精度低的问题，利用本方法，大大降低了整个编程操作的时间消耗，很大程度的提高了编程速度，同时也有效提高了Nand Flash的编程精度。

技术领域

本发明涉及存储设备硬件技术领域，尤其涉及一种Nand Flash的编程方法。

背景技术

Nand Flash是Flash内存的一种，具有容量大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储。随着Nand Flash的发展，其存储单元已由早期的单层单元(Single Level Cell，SLC)逐渐演变为多层单元(Multi Level Cell，MLC)、三层单元(Triple-Level Cell，TLC)以及四层单元(Quad Level Cell，QLC)等，Nand Flash的存储单元层次增大主要由于存储单元具有的比特位个数增多，相对应的，Nand Flash颗粒存储单元比特位的状态也由2种变为4种、8种甚至16种。

在对Nand Flash进行操作时，当Nand Flash完成擦除操作后，若存储单元的比特位处于擦除状态，则说明可进行编程操作。对于多比特位的Nand Flash颗粒来说，在进行编程操作时，可将编程操作分为多步，一般地，第一步先将部分存储单元编程到中间状态，其余几步编程再将余下的处于擦除状态的存储单元及处于中间状态的存储单元，分别编程到相应的编程状态。图1给出了TLC Nand Flash颗粒编程操作时存储单元状态变化的示意图，如图1所示，在第一步编程后，部分存储单元处于擦除状态，部分处于中间状态L1；再次进行编程操作后，存储单元会处于相应的编程状态，这些编程状态可记为P1、P2、...、P7。

对于多比特位的Nand Flash颗粒来说，现有的编程方法，对选中的编程页进行编程操作时，在进行第一次编程达到中间状态后，第二次进行编程时还是从最初的编程电压开始编程，且在加压编程后，对存储单元从第1编程状态开始进行验证，该编程操作严重影响了编程速度和编程精度，从而直接影响用户写入数据的正确性和时间。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种Nand Flash的编程方法，以提高Nand Flash内存的编程精度和编程速度。

本发明实施例提供了一种Nand Flash的编程方法，包括：

基于字线地址确定当前编程页要施加的初始编程电压值，在设定时间内加压编程；

确定当前编程页进行编程验证的起始编程状态，并启动编程验证；

若编程验证失败，则以设定步进值抬升当前编程电压，之后进行编程验证；重复当前步骤，直到编程验证成功，停止编程操作。

进一步的，所述基于字线地址确定当前编程页要施加的初始编程电压值，具体为：判定当前编程页的字线地址与上一编程页的字线地址是否属于同一存储块，若是，则直接为当前编程页施加与上一编程页相同的初始编程电压；若否，则确定当前编程页的所属存储块，读取当前编程页所属存储块的信息记录，为当前编程页施加所述信息记录中设定的初始编程电压。

进一步的，所有存储块的信息记录以信息表的形式存放于Nand Flash的逻辑寄存器中，其中，一个存储块对应所述信息表的一行信息记录。

进一步的，所述一个存储块对应的一行信息记录内容为：加压编程的初始电压值以及编程验证的起始编程状态。

进一步的，所述一行信息记录中包括1个加压编程的初始电压值和n个编程验证的起始编程状态，其中，n为存储块基于字线地址划分的字线分段数。