[发明专利]晶圆激光划片与裂片方法及系统

说明书

技术领域

本发明涉及晶圆激光划片与裂片技术领域，尤其涉及一种晶圆激光划片与裂片方法及系统。

背景技术

晶圆被广泛应用到LED、太阳能等领域，随着对晶圆质量的要求越来越高，现有的晶圆划片及裂片工艺存在一定的局限性，尤其是对圆形等有弧度的单元格裂片困难，如圆形等有弧度的晶圆只能采用切割工艺，但直接切割对激光光源要求较高，且会造成晶圆质量较差，如崩边及热影响区加大等，对晶圆的性能及使用有不良的影响。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种通用性强，尤其适用于圆形等有弧度的晶圆激光划片与裂片方法及系统。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提出了一种晶圆激光划片与裂片方法，所述方法包括：

划片步骤：对晶圆进行激光划片，切深在晶圆厚度的1/2至3/4之间；

涂覆步骤：在划片区域涂覆铝纳米颗粒，使其完全填充划片切口；及

裂片步骤：对划片切口处的铝纳米颗粒进行激光照射，利用铝热反应的放热实现裂片。

进一步地，裂片步骤之后还包括：

清洗步骤：对裂片后的晶圆进行清洗，以除去残留的铝纳米颗粒涂层。

进一步地，划片步骤和涂覆步骤之间还包括对准步骤：检测晶圆的位置偏移并传输对应的偏移信号；对应地，涂覆步骤中，根据偏移信号调整涂覆装置以在划片区域进行铝纳米颗粒涂覆。

进一步地，涂覆步骤中，采用微笔直写或微喷的方式进行涂覆。

进一步地，裂片步骤中，采用聚焦或离焦的方式进行激光照射，对应的光斑直径大于划片切口的最大宽度。

相应地，本发明实施例还提供了一种晶圆激光划片与裂片系统，所述晶圆激光划片与裂片系统包括机架和工控机，机架上设有分别连接于工控机的激光器、涂覆铝纳米颗粒的涂覆装置、CCD定位装置及用于承载晶圆的加工平台。

进一步地，所述激光器为发射相同波长激光的两个，发射的激光汇合至同一条光路并经同一扩束装置、振镜场镜组件输出。

进一步地，所述激光器为发射不同波长激光的两个，发射的激光分别通过一条光路即不同扩束装置、振镜场镜组件传输和输出。

进一步地，加工平台为在水平方向上移动晶圆的XY平台。

进一步地，所述CCD定位装置有多个，且一一对应地设置于振镜场镜组件和涂覆装置旁。

本发明实施例通过提出一种晶圆激光划片与裂片方法及系统，采用涂覆划片后的切口以填充铝纳米颗粒，以对晶圆进行高质量加工的技术手段，具有通用性强、加工质量高的技术效果，尤其适用于圆形等有弧度的晶圆的加工。

附图说明

图1是本发明一实施例的晶圆激光划片与裂片系统的结构示意图。

图2是本发明另一实施例的晶圆激光划片与裂片系统的结构示意图。

图3是本发明一实施例的晶圆激光划片与裂片方法流程图。

图4是本发明实施例的晶圆激光划片与裂片方法的划片过程示意图。

图5是本发明实施例的晶圆的划片切口示意图。

图6是本发明实施例的裂片步骤中激光照射过程示意图。

图7是本发明实施例的裂片步骤中裂片效果示意图。

图8是本发明另一实施例的晶圆激光划片与裂片方法流程图。

附图标号说明

晶圆10

工控机20

激光器30

涂覆装置40

CCD定位装置50

加工平台60

振镜场镜组件70

扩束装置80

激光光束200

反射镜901

半透半反射镜902

划片步骤S1

对准步骤S11

涂覆步骤S2

定位步骤S22

裂片步骤S3

清洗步骤S4。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互结合，下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。

本发明实施例中若有方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后……）仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。