[发明专利]先进工艺中的静电保护电路在审
| 申请号： | 201510897149.9 | 申请日： | 2015-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN105448894A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王钊 | 申请（专利权）人： | 无锡中感微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/02 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 庞聪雅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 先进 工艺 中的 静电 保护 电路 | ||
1.一种静电保护电路，其特征在于，其包括：
衬底；
形成于所述衬底中的阱区；
自衬底的上表面向下延伸而成的衬底接触区；
自衬底的上表面向下延伸而成的第一有源区，其中第一有源区与衬底接触区相互间隔，并且所述衬底接触区较第一有源区距离所述阱区更远；
自衬底的上表面向下延伸而成的第二有源区，该第二有源区的一部分位于所述阱区中，另一部分位于所述衬底中；
形成于所述衬底的上表面之上的栅极氧化层，其中所述栅极氧化层位于第一有源区和第二有源区之间并与第一有源区和第二有源区相邻；
位于所述栅极氧化层之上的多晶硅栅极；
自衬底的上表面向下延伸而成的并位于所述阱区中的第三有源区，其中该第三有源区与所述第二有源区相邻；
自衬底的上表面向下延伸而成的并位于所述阱区中的阱接触区，其中该阱接触区与所述第三有源区相邻；
形成于所述衬底接触区和第一有源区上方的第一金属硅化物区；
形成于所述多晶硅栅极上方的第二金属硅化物区；
形成于第三有源区和阱接触区上方的第三金属硅化物区；
其中第一金属硅化物区和第二金属硅化物区通与第一连接端相连，第三金属硅化物区与第二连接端相连。
2.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于：第一金属硅化物区、第二金属硅化物区和第三金属硅化物区是在同一金属硅化物层形成工艺中形成的。
3.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于：第一连接端为接地端，第二连接端为受静电保护的芯片的引脚。
4.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于：
阱接触区的全部被第三金属硅化物区覆盖，
第三有源区的与阱接触区相邻的部分被第三金属硅化物区覆盖，第三有源区的与第二有源区相邻的部分区域未被第三金属硅化物区覆盖，
第二有源区上方没有金属硅化物区覆盖。
5.根据权利要求4所述的静电保护电路，其特征在于：第二有源区处于悬浮状态。
6.根据权利要求4所述的静电保护电路，其特征在于：第二有源区的宽度为1.5微米～5微米。
7.根据权利要求4所述的静电保护电路，其特征在于：第三有源区的未被第三金属硅化物区覆盖的部分区域的宽度为0.15微米至0.5微米。
8.根据权利要求1-7任一所述的静电保护电路，其特征在于：
衬底、衬底接触区、第三有源区为P型掺杂，
第一有源区、第二有源区、阱接触区为N型掺杂。
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