[发明专利]一种PET系统的实现方法和装置在审

专利信息
申请号: 201510897326.3 申请日: 2015-12-08
公开(公告)号: CN105534542A 公开(公告)日: 2016-05-04
发明(设计)人: 赵玉秋;梁国栋;杨龙;高鹏;崔改 申请(专利权)人: 沈阳东软医疗系统有限公司
主分类号: A61B6/03 分类号: A61B6/03;A61B6/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 110179 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 pet 系统 实现 方法 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及医疗器械领域,特别是涉及一种PET系统的实现方法和装置。

背景技术

正电子发射型计算机断层显像(英文:PositronEmissionComputed Tomography,缩写:PET)技术是一种核医学临床成像技术。注入体内的放射 性核素所发射出的正电子在人体内移动大约1mm后将会与人体内的负电子结 合发生湮灭辐射,正负电子湮灭时产生两个能量相同方向相反的γ光子。PET 装置通过探测器探测正电子湮灭过程中产生的γ光子。探测器上装有晶体阵 列,当γ光子在移动过程中接触到探测器上的晶体时,被接触到的晶体可以 感知到γ光子的能量数据。由于探测器采集到的能量较小,需要对能量放大 后,才能通过处理得到病灶处的能谱图。一般通过与探测器相连的可变增益 调整(英文:VariableGainAdjust,缩写:VGA)装置对探测器探测到的能量 进行放大,放大的倍数与所述VGA装置的放大增益的大小呈比例关系。由于 工作流程和技术上的限制,目前在PET装置使用的过程中一般都会出现因为 噪声或其他因素所产生的误差,故在不同的探测场景下或者每一次进行探测 时,基本上都需要对PET装置中探测器所连接的VGA装置的放大增益进行 调整,以保持在实际工作中能够生成高质量的能谱图。

目前有一种新类型的光电倍增管:硅光电倍增管(英文:Silicon photomultiplier,缩写:SiPM)。SiPM是由数百至数万个直径为几到几十微米 的雪崩光电二极管(英文:AvalanchePhotoDiode,缩写:APD)单元阵列集 成在同一个单晶硅片上构成的。由于SiPM的尺寸非常小,一个SiPM可以轻 易的与一个晶体相连,形成一个具有1:1架构的SiPM探测器。这种结构的 SiPM探测器可以通过所包括的一个晶体进行单γ光子探测,而且,由于SiPM 探测器一般设置一个晶体,故一旦该SiPM探测器探测到能量数据,接收到晶 体的位置也显然是可以直接确定的。可见,SiPM探测器具有应用于PET装置 中,作为PET装置的探测器的条件。

然而,由于SiPM探测器只连接一个晶体这种特殊的1:1架构。目前并没 有一种有效的方式,能够将SiPM探测器实际应用于PET装置中,也就是说, 如何将SiPM探测器在PET系统中实现是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

为了解决上述技术问题,本发明提供了一种PET系统的实现方法和装置, 通过单位时间出现饱和事件的次数作为调整依据,可以有效的调整VGA装置 的放大增益以调节SiPM的增益不一致性。为SiMP探测器在PET系统中的实 现提供了必要基础。

本发明实施例公开了如下技术方案:

一种PET系统的实现方法,应用于具有多个SiMP探测器的PET装置, 针对目标探测器,通过模拟γ光子射向所述目标探测器,确定所述目标探测 器的饱和标识,所述目标探测器为所述多个SiMP探测器中的任意一个SiMP 探测器,所述饱和标识用于标识一个γ光子被所述目标探测器接收到时,所 述目标探测器的输出通过目标VGA装置放大后的最大输出电压,所述目标 VGA装置为所述目标探测器对应的VGA装置,所述方法包括:

在所述PET装置工作过程中,确定所述目标VGA装置的输出电压与所 述饱和标识的大小关系;

若所述VGA装置的输出电压大于所述饱和标识,判断所述目标探测器出 现了饱和事件;

调整所述目标VGA装置的放大增益,直到单位时间内所述目标探测器出 现所述饱和事件的次数满足预设阈值。

可选的,所述通过模拟γ光子射向所述目标探测器,还包括确定所述目 标探测器的事件标识,所述事件标识用于标识一个γ光子被所述目标探测器 接收到时,所述目标探测器的输出通过所述目标VGA装置放大后,被识别为 有效数据时的最小输出电压,所述事件标识小于所述饱和标识,所述方法还 包括:

在所述PET装置工作过程中,判断所述目标VGA装置的输出电压与所 述事件标识的大小关系;

若所述VGA装置的输出电压大于所述事件标识但小于所述饱和标识,确 定所述目标探测器接收到一个属于符合事件的γ光子,所述符合事件在所述 目标探测器上所产生的数据为有效数据;

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