[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和液晶面板

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法和液晶面板。所述薄膜晶体管阵列基板包括透明基板和相互垂直设置的数条数据线与数条栅极线，所述数条数据线与所述数条栅极线所述薄膜晶体管阵列基板分为数个像素区域，每一所述像素区域包括一薄膜晶体管。所述薄膜晶体管阵列基板还包括保护层、有机绝缘层、像素电极和公共电极。本发明的薄膜晶体管阵列基板通过在像素交接处的非显示区形成有机绝缘层凸起结构，并在像素结构的显示区形成有机绝缘层的沟槽结构，使得在大视角时观看利用该薄膜晶体管阵列基板的液晶面板时，可以阻碍像素的光线经过相邻像素出射，进而防止大视角时的色偏，提升画面显示品质。

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法，特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和液晶面板。

背景技术

液晶显示器是目前使用最广泛的一种平板显示器，已经逐渐成为各种电子设备如移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕所广泛应用具有高分辨率彩色屏幕的显示器。随着液晶显示器技术的发展进步，人们对液晶显示器的显示品质，外观设计等提出了更高的要求。

液晶面板是液晶显示器最主要的组成配件，其包括真空贴合的薄膜晶体管(TFT)阵列基板、彩色滤光片(CF)基板、设置在两者之间的液晶层及配向膜。

平面控制模式(IPS)广视角技术的液晶显示让观察者任何时候都只能看到液晶分子的短轴，因此在各个角度上观看的画面都不会有太大差别，这样就比较完美地改善了液晶显示器的视角。第一代IPS技术针对TN模式的弊病提出了全新的液晶排列方式，实现较好的可视角度。第二代IPS技术(S-IPS即Super-IPS)采用人字形电极，引入双畴模式，改善IPS模式在某些特定角度的灰阶逆转现象。第三代IPS技术(AS-IPS即Advanced Super-IPS)减小液晶分子间距离，提高开口率，获得更高亮度。

图1为常规的IPS液晶面板的像素结构示意图，包括：相对设置的第一基板1’和第二基板2’，以及夹设于所述第一基板1’和第二基板2’之间的液晶层3’。其中，所述第一基板1’为薄膜晶体管阵列基板，所述第二基板2’为彩色滤光片基板。如图所示，所述第二基板2’包括一透明基板21’，设于所述透明基板21’上的黑色矩阵22’、G色阻23’和B色阻24’。

如图1所示的，正视角观察时，左侧像素的光线经由G色阻23’出射，右侧像素的光线经由B色阻24’出射；大视角斜视观察时，左侧像素的部分光线经由B色阻24’出射，右侧像素的部分光线经由G色阻23’出射，此时观察到的颜色与正视角观察到的颜色就会发生偏差，造成色偏。

因此，需要提供一种新的薄膜晶体管阵列基板及应用该薄膜晶体管阵列基板的液晶面板，以解决上述问题。

发明内容

本发明的第一个目的是提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括透明基板和相互垂直设置的数条数据线与数条栅极线，所述数条数据线与所述数条栅极线所述薄膜晶体管阵列基板分为数个像素区域，每一所述像素区域包括一薄膜晶体管；其中，所述薄膜晶体管阵列基板还包括：一保护层，所述保护层位于所述薄膜晶体管上，并且覆盖所述透明基板；一有机绝缘层，所述有机绝缘层位于所述保护层上，并且覆盖所述保护层；像素电极和公共电极，所述像素电极和公共电极设于所述有机绝缘层上；其中，所述有机绝缘层在一所述像素区域与另一所述像素区域的交接处形成凸起结构，并且，所述有机绝缘层在所述像素区域的显示区形成沟槽。

在本发明一实施例中，所述薄膜晶体管包括：栅极电极，所述栅极电极位于所述透明基板上；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述栅极电极上，并且覆盖所述透明基板；半导体层，所述半导体层位于所述栅极绝缘层上，并且对应所述透明基板上的栅极电极；以及，源极/漏极电极，所述源极/漏极电极位于所述半导体层上；其中，所述保护层位于所述薄膜晶体管的所述源极/漏极电极上，并且覆盖所述薄膜晶体管的所述栅极绝缘层。