[发明专利]石墨烯纳米带负载半导体的三维光催化材料的制备方法

权利要求书

1.石墨烯纳米带负载半导体的三维光催化材料的制备方法，其特征在于，该 方法采用以下步骤：

将二氧化钛前驱体溶解于过氧化氢与氨水混合溶液中，搅拌至溶液黄色澄清， 加入氮化碳，待溶液浑浊，离心洗净，再加入去离子水和经过超声处理的石墨烯纳 米带，搅拌后于反应釜中，控制温度为140-180℃，反应16-24h，再经过离心、洗 净、烘干处理后，于氮气氛围下，控制温度为400-600℃煅烧2-5h，即得到石墨烯 纳米带负载半导体三维光催化材料。

2.根据权利要求1所述的石墨烯纳米带负载半导体的三维光催化材料的制备 方法，其特征在于，所述的过氧化氢与氨水的体积比为10-30:2-10。

3.根据权利要求1所述的石墨烯纳米带负载半导体的三维光催化材料的制备 方法，其特征在于，所述的过氧化氢与氨水的体积比优选24:5。

4.根据权利要求1所述的石墨烯纳米带负载半导体的三维光催化材料的制备 方法，其特征在于，制备的石墨烯纳米带负载半导体三维光催化材料中，氮化碳含 量为20～80wt％，石墨烯纳米带的含量为5～50wt％。

5.根据权利要求1或4所述的石墨烯纳米带负载半导体的三维光催化材料的 制备方法，其特征在于，采用钨酸铋代替氮化碳。

6.根据权利要求1或4所述的石墨烯纳米带负载半导体的三维光催化材料的 制备方法，其特征在于，所述的氮化碳由三聚氰胺在氮气氛围下，500℃煅烧3h 制备得到。

7.根据权利要求1所述的石墨烯纳米带负载半导体的三维光催化材料的制备 方法，其特征在于，所述的石墨烯纳米带为多壁碳纳米管在浓硫酸，高锰酸钾，过 氧化氢条件下制备得到。

8.根据权利要求1或7所述的石墨烯纳米带负载半导体的三维光催化材料的 制备方法，其特征在于，所述的石墨烯纳米带采用以下方法制备得到：将多壁碳纳 米管加入到浓硫酸搅拌，然后在冰浴条件下，缓慢加入高锰酸钾，再升温至25℃ 条件下，搅拌2h，在75℃油浴80min，然后在冰浴条件下，加入蒸馏水及过氧化 氢，最后通过离心获得石墨烯纳米带。

9.根据权利要求8所述的石墨烯纳米带负载半导体的三维光催化材料的制备 方法，其特征在于，多壁碳纳米管、浓硫酸、高锰酸钾、过氧化氢的比例为1～3g: 6～18g:100mL～300mL:5～15mL。

10.根据权利要求8所述的石墨烯纳米带负载半导体的三维光催化材料的制备 方法，其特征在于，多壁碳纳米管、浓硫酸、高锰酸钾、过氧化氢的比例优选为 1g:6g:20ml:1ml。